《表2 端口的部分三温测试参数》
经仿真分析确认电路设计无误后,对该结构的端口电路进行了工艺流片验证,经测试机及实装板测试,电路能正确地完成数据的输入输出,同时具备冷备份功能。表征该端口电路驱动能力的三温测试参数如表2所示,三温下的输出高电平电压均大于2.4 V,输出低电平电压均小于0.4 V,满足设计要求。取2颗电路进行了HBM模型下3500 V ESD能力测试,端口在ESD应力下的I-V曲线如图6所示,试验结果表明本文设计的端口达到3500 V ESD水平。另外,抽取5颗样品电路进行总剂量试验,总剂量TID≥100 krad(Si)(剂量率为50 rad(Si)/s),辐照后的电路经测试满足设计输入要求,总剂量试验情况见表3。
图表编号 | XD00150880700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.06.20 |
作者 | 蒋婷、印琴、高国平、徐睿 |
绘制单位 | 无锡中微亿芯有限公司、中科芯集成电路有限公司、中科芯集成电路有限公司、中科芯集成电路有限公司 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |