《表3 总剂量试验情况：一种适用于宇航环境的IO端口设计实现》

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《一种适用于宇航环境的IO端口设计实现》

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经仿真分析确认电路设计无误后，对该结构的端口电路进行了工艺流片验证，经测试机及实装板测试，电路能正确地完成数据的输入输出，同时具备冷备份功能。表征该端口电路驱动能力的三温测试参数如表2所示，三温下的输出高电平电压均大于2.4 V，输出低电平电压均小于0.4 V，满足设计要求。取2颗电路进行了HBM模型下3500 V ESD能力测试，端口在ESD应力下的I-V曲线如图6所示，试验结果表明本文设计的端口达到3500 V ESD水平。另外，抽取5颗样品电路进行总剂量试验，总剂量TID≥100 krad(Si）（剂量率为50 rad(Si）/s），辐照后的电路经测试满足设计输入要求，总剂量试验情况见表3。