《表2 不同基底对于偏心旋涂取向效果的影响》
对于偏心旋涂取向技术,能影响到最终的纳米线薄膜取向效果的因素还有很多,薄膜基片的表面亲/疏水性是其中之一。在偏心旋涂的过程中,溶剂随转速的增加迅速挥发,而在溶剂挥发方向,也就是离心力的方向,溶剂挥发产生的剪切力使得钙钛矿纳米线沿离心力方向有序排列,在这个过程中,纳米线与基片的接触性会对最终的取向效果产生影响。选取多种不同的基底表面,它们具有不同的接触角,如表2和图4所示。分别采用聚苯乙烯(PS)基底、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基底、玻璃基底、ITO基底和PEDOT∶PSS基底,来检验偏心旋涂取向法中,旋涂基底的表面接触性对纳米线取向效果的影响。
图表编号 | XD00145022300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.08.01 |
作者 | 王健越、魏雅平、邱龙臻、朱俊 |
绘制单位 | 合肥工业大学电子科学与应用物理学院、合肥工业大学光电技术研究院特种显示与成像技术安徽省技术创新中心、合肥工业大学化学与化工学院、合肥工业大学光电技术研究院特种显示与成像技术安徽省技术创新中心、合肥工业大学光电技术研究院特种显示与成像技术安徽省技术创新中心、合肥工业大学光电技术研究院特种显示与成像技术安徽省技术创新中心 |
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