《表1 合成温度对产物（111）与（200）衍射峰强度的影响》

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《前驱体法制备纳米VC晶须的研究》

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图1是分别在900、950、1 000、1 050、1 100℃下保温2h所制备产物的XRD图谱。由图1可知，当合成温度为900℃时，产物中存在VC和V2O3两种物相，其中VC的衍射峰较强，V2O3的衍射峰较弱，说明此温度下V2O3已明显开始转变为VC，但反应还不完全。这可能是由于反应温度过低，不能为V2O3转变为VC的反应提供足够的驱动力，以致反应无法充分进行。当温度升至950℃时，产物中V2O3的衍射峰完全消失，仅存在VC衍射峰，V2O3完全转变为VC。随着合成温度升高到1 000℃和1 050℃，产物中仅有VC相，且其衍射峰强度逐渐增强，衍射峰越来越尖锐，说明随着温度的升高，VC晶体结构中原子空间排列更加有序。此外，随着合成温度的升高，VC晶须衍射峰的主强峰强度I(200）和次强峰强度I(111）的比值呈现出逐渐减小的趋势，如表1所示。这可能是因为低温下易形成缺碳相VC1-x，随着合成温度的提高，固溶到VC1-x晶格中的碳原子不断增多，趋于形成碳原子饱和的VC晶体结构[18]。