《表1 不同烧结温度下PcBN中TiB2, hAlN和cBN的主衍射峰强度和FWHM》

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《烧结温度对cBN-Al-Ti体系原位合成PcBN的影响》

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图2为cBN-Al-Ti体系在不同烧结温度下合成的PcBN的X射线衍射谱图。可以看出，1400，1500℃下得到的PcBN的物相组分没有明显差别，均由cBN，TiB2，hAlN，TiN以及AlTi2N，Ti3B4组成；随着烧结温度升高到1600℃，AlTi2N和Ti3B4的衍射峰消失，得到的PcBN由TiB2，hAlN和TiN组成。表1为不同烧结温度下PcBN中TiB2，hAlN，cBN的主衍射峰强度和衍射峰半高宽（full width at half maximum，FWHM）。可知，随着烧结温度的增加，TiB2的（101）晶面和hAlN的（100）晶面的衍射峰强度不断增大，FWHM则不断减小；cBN的（111）晶面衍射峰强度逐渐减小，FWHM逐渐增大，说明烧结温度的增加促进了cBN与Ti，Al之间反应的进行、生成相的产生和晶粒的长大。