《表1 微弧氧化L9(34）正交试验参数》

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《基于镁合金微弧氧化膜层的腐蚀实验研究》

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如图1所示，S为镁合金极化曲线，MAO为镁合金微弧氧化优化后的极化曲线。由图中极化曲线可以看出，镁合金自腐蚀电位为1.324V，经过微弧氧化后自腐蚀电位降低了0.522V。自腐蚀电位可以表示在腐蚀性液体中，自发发生腐蚀的倾向性大小[3]。自腐蚀电位越高，则腐蚀倾向性越小，通过极化曲线也可以看出，经过微弧氧化之后在氯化钠溶液中可以极大的提升其自腐蚀电位，降低自腐蚀的倾向性。当频率1000、占空比为20%、电流密度为1.5A、微弧氧化时间为10min时，自腐蚀电位最高，倾向性最低。