《表2 不同负载下的MNED指标》

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《用于安全集成电路的三相单轨脉冲寄存器》

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由表1中数据可以看到：与CMOS逻辑实现的寄存器相比，TSPR有着显著的均衡功耗的能力，在使用相同数目晶体管的情况下，使用TSPR可将MNED指标由92.78%降至0.88%，降低了99.05%.WDDL逻辑及DyCML逻辑实现的寄存器由于采用双轨逻辑，其所使用的晶体管数目明显增多，数据写入时功耗较大，并且由于双轨输出负载不匹配的影响，其MNED指标仅能下降至14%．而TSPR使用更少的晶体管数目，消耗更少的能量，同时具有更加优秀的功耗均衡效果，与WDDL及DyCML实现的寄存器相比，其MNED指标分别下降了93.7%与93.69%．本研究也验证了TSPR在不同负载BL下的MNED指标．测试结果如表2所示．