《表1 实验条件设置：基于SiO_2掩膜层的硅基微半球谐振子模具加工工艺》

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《基于SiO_2掩膜层的硅基微半球谐振子模具加工工艺》

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HNA溶液对单晶硅的腐蚀形貌除了受腐蚀窗半径的影响外，还高度依赖于单晶硅晶向、溶液配比、温度、搅拌方式等条件。因此为了可以准确探究HNA溶液对单晶硅的腐蚀规律以制作完美的微半球模具，应该对相关实验条件进行适当的设置。根据相关研究的结果[8-8，16-17]，以及出于实验结果普适性的考虑，具体实验条件设置如表1所示。