《表1 Co微米线的沉积参数及实际尺寸》

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《电子束诱导沉积钴微米线及其铁磁性》

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为了研究影响Co微米线沉积形状（主要指厚度和宽度）和磁学性质的主要因素，本文设定不同的工艺参数，采用电子束诱导沉积的方法制备不同尺寸的Co微米线。EBID对衬底的晶体结构没有要求，因此，衬底的选择对Co微米线的制备基本没有影响。实验选用在半导体Si衬底（表面有285 nm厚的SiO2绝缘层）进行Co微米线沉积。表1所示为Co微米线沉积参数及实际体积尺寸（长度×半高宽×厚度），在合适的工作距离（4 mm）下，设定电压为3 kV，选用不同的沉积电流、交叠率（相邻束斑重叠面积与单个束斑面积之比）、束斑间隔并设置体积尺寸（长度×宽度×厚度）的参数，以一条接一条的模式沉积10条Co微米线。