《表5 不同处理方式下电池片效率对比表》

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《单晶硅片KOH碱刻蚀工艺研究》

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图6是硅片制绒、混酸处理和添加剂碱刻蚀后硅片反射率对比图。在同样的刻蚀量条件下，酸处理的硅片表面反射率为38%，而添加剂碱刻蚀后硅片表面的反射率较高，为46%，比酸处理方式高8%，制绒后的反射率为11%，说明在保持外观形貌和刻蚀量基本一致的条件下，添加剂碱刻蚀处理方式能够更大幅度地提高硅片反射率[4]。不同处理方式下电池片效率如表5所示。