《表3 一维掩模，物镜-工艺参数优化结果》

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《工件台振动低敏感光刻系统协同优化方法》

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针对一维掩模图形，文中提出的LSHO方法和MPLCO方法优化结果如图3所示。其中，第一行是MPLCO优化结果，第二行是LSHO优化结果。从左到右依次为光源优化结果、掩模图形、理想系统下的光刻胶像和MSD=10 nm时的光刻胶像。表3列出了对应的物镜-工艺参数优化结果。对比两种优化结果可知，LSHO优化光源和MPLCO光源差别较大。LSHO的热板时间为14 s和显影时间25 s，明显低于MPLCO结果；而LSHO转移时间为15 s和冷板时间为53 s，高于MPLCO结果；LSHO的数值孔径为1.25，也小于MPLCO结果。对于MSD=0 nm的理想系统，两种方法的CD误差分别为-0.02 nm和-0.04 nm。此时，二者的图形保真度几乎相同。但是对于MSD=10 nm时，两种方法的CD误差分别为-4.56 nm和-3.25 nm。这种情形下，LSHO的特征尺寸误差比MPLCO结果降低了28.7%。