《表2 图6中局部区域的EDS结果（原子分数）》

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《金属连接体用Mn-Cu尖晶石涂层的制备及其高温氧化导电性能》

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由图8可见：lg(RAS/T）值随着103/T线性增加而减小，这与Mn-35Cu氧化层中生成的Cu-Mn尖晶石氧化物展现出的半导体行为有关。Cu-Mn复合尖晶石涂层经100h氧化后，其氧化层有着优异的导电性能。当尖晶石涂层处于低温环境时，其电阻较大，导电性较差。但当其处于高温环境时，电阻值急剧下降，表现出了较为优异的导电性，因此对Cu-Mn合金涂层需要控制好Cu与Mn的配比以及涂层的厚度，使涂层氧化后生成致密的尖晶石氧化层，尽量减少M3O4、M2O3、CuO等二元氧化物在涂层氧化层中的生成。