《表5 DFT中BaSn1-xZrxO3的键长（nm）、晶格常数（nm）、体积（nm3）计算结果》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《Zr掺杂BaSnO_3陶瓷的制备和光学性质》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

为验证实验结论的可靠性和合理性，采用基于密度泛函理论的平面波赝势计算程序Cambridge Sequential Total Energy Package（CASTEP）模块中LDA下的Ceperley-Alder-Perdew-Zunger(LDA-CA-PZ）交换关联函数，计算BSZO(x=0，0.5，1.0）的晶胞参数、能带结构及态密度.计算时首先在BSO原胞的基础上建立2×2×2的超晶胞（共40个原子），再对几何模型进行结构优化，其中平面波截止能量为340 eV，布里渊区K矢量选取为3×3×3.优化后的晶格常数、晶胞体积、键长如表5所示.由表5可以看出，Zr—O—Zr键长最长（0.415 3 nm），Sn—O—Sn键长最短（0.407 2 nm），这是因为Zr4+的离子半径大于Sn4+的离子半径此外，计算结果表明，晶格常数与晶胞体积逐渐增大的变化趋势与实验结果相一致.