《表1 当M=1时有无透镜时的光响应度对比》

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《InP微透镜的设计与制作》

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图8为RIE功率为150 W、ICP功率为400 W、Cl2的体积流量为10 cm3/min和BCl3的体积流量为20 cm3/min时刻蚀的InP微透镜电镜照片，透镜直径100μm，拱高为11.8μm，从图中可以看出:刻蚀面光滑，无聚合物残留，微透镜底部呈规则圆形。使用了光学共聚焦显微镜对表面粗糙度进行了分析，得到的平均粗糙度为11 nm。图9为背入射10 Gbit/s雪崩光电探测器芯片贴装于载体上的照片，表1为当倍增为1（M=1）时，有透镜与无透镜光响应度对比，定义位置0为光响度应最大处，通过光纤的移动对比光响应度的变化，由表1可知，通过微透镜的使用，可大大提高芯片与光纤的耦合效率。