《表5 不同器件的光响应度R的比较》

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《基于敏化作用近红外响应有机场效应晶体管的研究》

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（A·W-1）

光响应度（R）是光生电流与入射近红外光功率的比值，能够衡量器件将光能转化为电信号的能力。基于PBTTT的单层薄膜器件对近红外光没有响应。不同器件的光响应度R如表5所示。由图5可以看出，沟道越短，光响应度越大。随着沟道长度的增加，光响应度降低。在沟道长度为5μm时，150℃层压器件光响应度为21.22A/W，而光暗电流比最大的器件光响应度为0.12A/W。器件光转移和光输出曲线如图5所示。