《表1 模型各层的位错源数量、初始位错密度与位错间距》

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《位错密度梯度结构Cu单晶微柱压缩的三维离散位错动力学模拟》

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Zhang等[34]的研究揭示了位错源密度对材料的变形机制有重要的影响，研究表明：当Frank-Read位错源长度远小于位错平均间距时，材料的塑性响应是位错源控制机制；当Frank-Read位错源长度远大于位错间距时（通常为2.5倍以上），强化机制主要为林位错硬化。表1给出了各层的位错源数量、初始位错密度和位错间距。结合位错源长度为约400 nm可知，位错平均间距的最大值约为162 nm，因此，本工作中各层的塑性变形机制均为林位错硬化控制。