《表1 不同扭转圈数下纯钨的晶粒尺寸及位错密度》

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《高压扭转变形对纯W再结晶行为的影响》

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式中，G为剪切模量，对纯钨材料为160 GPa[13]，b为柏氏矢量，由晶格常数计算得2.745×10-10 m；ρ为单位体积位错密度，根据XRD图谱得到衍射峰参数，利用Cauchy-Gaussian公式建立微观应变量与位错密度的关系，得到变形前后组织内部位错密度，具体数值如表1所示；k为1和1-v的算术平均值，v为泊松比，k取0.86。