《表1 IPD滤波器性能对比》

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《基于5G通信的硅基IPD滤波器研究与验证》

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表1列举了多款IPD滤波器的相关技术指标，从中可以看出，基于IPD技术的新型S波段带通滤波器，其带外抑制较大，带内插损达到了-3.5 dB[15]；具有两个传输零点的紧凑型硅集成无源带通滤波器，其带内插损-2.3 dB，带外抑制-20 dB以内[16]。本文采用薄膜工艺和半加成法设计的IPD滤波器，带内插损小（-1.87 [email protected] GHz），带外抑制小于-30 dB，整体性能有所提升；器件尺寸1.1 mm*0.68 mm，相比同类IPD滤波器，尺寸较小，能满足当前小型化的应用需求；叠层结构简单，填充介质为二氧化硅以及PI[17]，且相对于全片电镀铜，半加成法使得铜耗减少，加工成本低。本文为提高电感Q值，提高电容密度，制造高性能的IPD器件提供了一种可实施的制备方案。