《表1 Al和Sn浓度对凝聚性的影响[16]》

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《大规模集成电路用高纯铜及铜合金靶材研究与应用现状》

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注:*Sb、Zr、Ti、Cr、Ag、Au、Cd、In、As合计

铜种层变为厚度90nm以下的极薄膜时，6N纯铜靶材在溅射成种子层时极易产生凝聚，不能形成良好的种子层，因此多个专利[16-18]在高纯铜中加入0.5wt%~4wt%的Al或Sn来防止这种情况。铜种层的均匀形成很重要，在基础层凝聚的场合，由电镀形成铜膜时，就不能形成均匀的膜。例如，在布线中会形成空隙、断线等情况。即使没有残留上述空隙等缺陷，由于该部分形成了不均匀的铜电沉积组织，因而也会产生电迁移抗性降低的问题。为了解决该问题，在铜电镀时形成稳定均匀的种层很重要，而为形成溅射成膜特性好的种层，铜中加入0.5wt%~4wt%的Al或Sn元素非常有效（表1）。