《表2 NBNO-NBT-x陶瓷的极化条件和压电参数》

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《Na_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9-Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)材料的微观结构及电性能》

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文献[29]中将SrBi2Ta2O9和BaBi2Nb2O9进行固溶后，铁电、压电性能并没有达到预期的改善效果，这可能与材料中的弥散相变有关。Ismunandar[30]利用X射线衍射和中子衍射证实了ABi2Nb2O9（A=Sr，Ba）结构中存在A位离子与铋氧层中的Bi 3+发生部分位置互换，进而产生弥散相变，因此推测在NBT-NBNO-0.5体系中也极有可能存在这种离子互换。Palanduz[31]认为SrBi2Nb2O9中的离子无序伴随着氧空位的出现，而本实验中的NBT-NBNO-0.5材料是由两种单体共生组成，出现离子无序和结构无序的可能性很大。实际上利用传统固相烧结法难以获得长程有序共生结构，长程无序-局部有序结构反而更为常见[32]。这种材料内部较大的无序性会加大相变弥散和氧空位浓度，从而导致居里峰宽化，电导激活能降低，介电损耗增加:一方面铋层结构材料作为一种位移型铁电体，弥散程度的加剧会降低其铁电性能；另一方面氧空位浓度增加，其在电畴附近聚集，钉扎作用增强，使电畴转向困难，材料自发极化能力降低，也会导致铁电和压电性能降低。