《表4 不同晶体尺寸下锥面平均过饱和度及均方差Table 4 Averaged supersaturation and standard deviation of pyramidal face as

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《喷流转晶法KDP晶体生长系统的流动与传质模拟》

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表4为图8所对应晶体尺寸的表面过饱和度和均方差。从图8中可以看到均方差随着尺寸的增加而增加，其原因是尺寸增大，低转速下面过饱和度不均匀性相对增大。此外，随着尺寸增大，锥面平均过饱和度呈先增大后减小的变化，这是由于锥面平均过饱和度受到喷流和旋转共同作用的影响。晶体尺寸20cm比晶体尺寸30cm平均过饱和度稍低是因为尺寸增大带来的线速度增加要大于喷流给予晶体减小的影响，晶体尺寸40cm比晶体尺寸30cm平均过饱和度低则是喷流给予晶体过饱和度减小的速度要大于线速度带来过饱和度增加的速度。