《表1 不同生长情况下锥面平均过饱和度及均方差》

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《喷流转晶法KDP晶体生长系统的流动与传质模拟》

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从表1定量分析看出，喷流转晶法制备的KDP晶体的过饱和度分布更为均匀。图2（a）中锥面的过饱和度均方差为0.362%，而图2（b）中锥面的过饱和度均方差为0.307%，均匀性提高了约14%。此外，喷流转晶法锥面时均过饱和度为3.762%，传统转晶法时均过饱和度为2.924%，过饱和度提高了约29%。由此可见，喷流转晶法能同时提高晶体的生长速度和生长质量。