《表1 用于计算的量子点类型 (模型a—e)》
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《通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性》
Note:X，Yand Zare lattice mismatch of model c，diameter of model d and height of model e，respectively.X，Yand Zare variables used for si-mulating the effect of lattice mismatch，diameter and height on strains and electronic structures of QDs，respectively
由高分辨透射电子显微镜图像可知，Ge量子点呈球冠形[20]，表1列出了用于模拟的量子点尺寸。量子点内的应变用经典弹性理论来描述，通过有限元的方法来计算。这个理论对小应变量的材料适用，表达式如下:
| 图表编号 | XD0010272800 严禁用于非法目的 |
|---|---|
| 绘制时间 | 2018.03.25 |
| 作者 | 陈其苗、宋禹忻、张振普、刘娟娟、芦鹏飞、李耀耀、王庶民、龚谦 |
| 绘制单位 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、北京邮电大学信息光子学与光通信研究院信息光子学与光通信国家重点实验室、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室、查尔姆斯理工大学微技术和纳米科学系、中国 |
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