《表1 各样品的Tafel斜率和表观交换电流密度(j0)》

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《钴-钨/多孔铜镀层的电沉积与析氢性能》

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图4b为金属Pt片和Co–W/多孔Cu镀层的Tafel曲线，相应的Tafel斜率列于表1。通过Tafel斜率可判断电极表面析氢反应动力学过程的反应速率控制步骤[12]。金属Pt片的Tafel斜率为32.16 m V/dec，表明金属Pt表面的析氢反应动力学过程受Tafel反应步骤控制。不同Co–W/多孔Cu镀层样品的Tafel斜率在78～92 mV/dec区间内，表明Co–W/多孔Cu镀层表面的析氢反应动力学过程受Heyrovsky反应步骤控制。其中P4样品的Tafel斜率最小。通过Tafel曲线推算出不同Co–W/多孔Cu镀层样品的表观交换电流密度（j0）也列于表1，可见P4样品的表观交换电流密度最大。