《表1 不同光伏技术的饱和电流密度（J0）、接触电阻率（ρc）、选择性因子（S10)》

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《新型高效钝化接触晶硅太阳电池技术研究进展与产业化应用》

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TOPCon技术采用超薄界面氧化硅（典型厚度为1.2～2.2nm）和重掺杂多晶硅叠层结构实现优异的全表面钝化和载流子选择性收集。n型TOPCon的典型结构、界面能带结构和电池结构如图1所示。常见的背面结构设计有2种：全背电极与栅线电极。从钝化上看，采用TOPCon结构可以将电子和空穴收集端的J0分别做到1fA/cm2和4fA/cm2以下，显著低于当前PERC的背面整体钝化效果（J0约为50fA/cm2）；同时TOPCon技术的接触电阻率也可以低于10 mΩ·cm2。如果从选择性因子（S10）看（见表1)，TOPCon技术具有最高的选择性因子（S10值越高，电池理论效率也越大），是一种理想的晶硅电池技术。从实验室电池效率上看，小面积（4cm2）的双面电极结构n型TOPCon电池已经达到25.8%，而全背面指交叉结构p型电池效率达到26.1%，均高于PERC的最高效率25.0%，充分证明该技术具有制备高效电池的潜力。从产线小批量产效率看，TOPCon电池的量产效率已超过23%，与SHJ电池效率相当，而比PERC的效率高出0.5%左右。