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作者	（苏）斯米尔诺夫（Смирнов，Л，С）著；王正元，杜光庭编者
出版	北京：科学出版社
参考页数	195 ✅ 真实服务非骗流量 ❤️
出版时间	1986（求助前请核对）目录预览
ISBN号	15031·703 — 违规投诉 / 求助条款
PDF编号	89934718（学习资料勿作它用）
求助格式	扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册）

半导体的核反应方法掺杂 1986 PDF电子版封面 15031·703 （苏）斯米尔诺夫（Смирнов，Л，С）著；王正元，杜光庭

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目录1

第一章半导体的掺杂1

1.1熔体掺杂1

1.2杂质的扩散11

1.3半导体的离子掺杂17

1.4半导体的核嬗变掺杂21

第二章半导体核嬗变掺杂的物理基础26

2.1作为杂质原子源的核反应26

2.2带电粒子引起的核反应30

2.3 γ射线引起的核反应37

2.4中子引起的核反应41

2.5 在用（n,γ）反应掺杂的半导体中产生的掺杂杂质及其分布特点47

2.6干扰因素对核掺杂的影响57

2.7用核掺杂方法制造pn结的可能性68

第三章半导体中的辐照缺陷73

3.1最简单辐照缺陷的产生73

3.2硅中辐照缺陷的类型78

3.3辐照缺陷的聚集86

3.4辐照缺陷同各种晶格不完整性的相互作用93

3.5辐照缺陷的退火100

3.6辐照加速扩散113

3.7锗中的辐照缺陷118

3.8二元化合物中的辐照缺陷120

第四章硅的核掺杂工艺129

4.1核掺杂过程的工艺流程129

4.2硅锭在核反应堆内均匀辐照的保证130

4.3退火141

4.4 NTD硅的电物理性能150

4.5材料历史和中子通量参数对NTD硅电物理性能的影响162

4.6 NTD硅的放射性167

4.7 NTD硅在器件生产中的应用168

4.8核嬗变方法在其他材料方面的应用171

参考文献179

1986《半导体的核反应方法掺杂》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由（苏）斯米尔诺夫（Смирнов，Л，С）著；王正元，杜光庭 1986 北京：科学出版社出版的版本）。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。

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