《数字集成电路 第4辑》

目录1

一、生产试制总结1

二次缺陷的形成、变化和消除1

TTL集成电路的X-Y特性分析法7

16×1随机存取存贮器23

2-16进制同步可预置计数器32

双极型可编只读存贮器45

对通隔离56

改进线路提高了合格率58

提高集成电路成品率和可俈性的有效措施66

如何保证四氯化硅的高质量71

原水预处理的重要性及方法74

双极型大规模集成电路的现状和展望79

二、译文86

门几何尺寸对集成注入逻辑（I2L）传？延迟的影响86

负掩模关键尺寸的控制93

译码器／多路调解器95

半导体晶片的处理方法106

硅片的软固定抛光方法109

重显性优质二氧化硅薄膜形成法114

大规模集成电路片子？洗处理118

选择腐蚀法123

SiN-SiO2膜内应力的减小126

固体介质中分析针孔的金？淀积技术127

用三溴化硼作预淀积128

减少砱扩散中的过剩砱以消除缺陷135

砷旋转涂布扩散源的扩散工艺140

硅的固相砷扩散146

高砱硅的热氧化147

利用光刻膜部分的处理法156

减少大规模集成器件中串联电阻的反应性离子蚀刻工艺159

高氧Czochralski硅晶体生长与外延堆垛层错的关系161

硅槽周围产生的位错168

硅片背面的位错吸附169

硅片正面的位错吸附170

沾污离子的检测和定位171

低成本大规模集成电路单芯片组件管壳172

？洁处理金相的溶液173

双极型大规模存储器174

半导体集成电路装置179

应用于集成电路的晶体管183

可改善噪声容限的TTL电路187

集成注入逻辑的改进189

高密度、高性能的I2L单元191

双极型大规模集成电路I2L193