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目录1

一、生产试制总结1

四位移位寄存器试制小结1

4×4多路转接器7

高速J-K触发器12

肖特基二极管钳位高速D-型触发器21

TTL高速与非门若干问题的讨论31

等离子腐蚀工艺评述56

1.综述56

二、译文56

硅固态平面掺杂源的进展63

国际圆片标准化—是事实还是幻想?67

集成注入逻辑(I2L)—现状与未来71

电子手表用的集成注入逻辑大规模集成电路——它的优点与可能性78

2.线路设计86

晶体管的瞬态特性86

达到CMOS抗扰度又保持T2L速度的T3L122

等平面结构高集成度存储器128

最新双极型逻辑电路138

3.工艺152

高速高密度双极存储单元面积缩小的隔离法152

硅加盐酸的热氧化膜156

半导体元件的表面处理方法159

二氧化硅与金属界面的化学反应161

铬掩模缺陷检查164

多发射极晶体管的发射极金属化165

去除LSI器件硅基片上的杂质与缺陷165

高成品率半导体硅衬底166

减缓隐埋层的外扩散166

光刻对准法167

半导体工艺缺陷监控器168

无缺陷硅单晶片的生产169

4.可靠性170

半导体塑料封装的密封性试验170

日立半导体集成电路的可靠性管理172

5.设备179

涂胶烘胶机179

引线焊接的自动化182

1975《数字集成电路 第2辑》由于是年代较久的资料都绝版了,几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要,可向博主求助其电子版PDF文件(由上海无线电十九厂,上海市仪表电讯技术情报所编辑 1975 上海无线电十九厂;上海市仪表电讯技术情报所 出版的版本) 。对合法合规的求助,我会当即受理并将下载地址发送给你。

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