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目录1

一、生产试制总结1

集成单稳态触发器电路定时精度的分析1

长线驱动门与接收门10

ST002脉冲鉴相器的工作原理和应用15

四位二选一数据选择器(正码输出)19

T4604×4寄存器堆试制报告21

双极型四位加法器30

光刻掩膜版标准问题的讨论44

硅片腐蚀及SiO2抛光工艺48

外延工艺的改进51

氮化硅钝化膜在中规模集成电路上的应用53

增加基区浓度改善了J-K触发器的参数56

集成电路芯片的检验58

T217可逆十进制计数器失效率考核试验71

中规模集成电路综合测试仪73

集成电路的计算机辅助测试78

二、译文85

小规模硅外延淀积系统85

扩散引起的形变和位错对硅中磷扩散的影响90

扩散电流效应的一维理论和增强型绝缘栅场效应晶体管电流-电压特性中的载流子饱和速度95

采用多晶硅自调整法的高速大容量双极型器件108

无掺杂多晶硅的电子特性113

改进型超前进位加法器120

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