《半导体数字集成电路》求取 ⇩

第一章　计数制和逻辑函数1

§1-1　各种进位制的计数方法及相互转换1

一、二进制计数法1

二、十进制和二进制的互相转化1

目录1

三、其它进位制的表示法3

§1-2　逻辑代数3

一、“与”、“或”、“非”运算规则3

二、逻辑代数的基本定理5

二、最小项表达式7

§1-3　真值表、最小项表达式和卡诺图7

一、真值表7

三、卡诺图8

四、逻辑符号10

第二章　双极型集成电路基础12

§2-1　双极型集成电路的常规工艺流程及其基本结构12

一、工艺流程12

二、集成电路的特点14

§2-2　二极管-晶体管逻辑电路15

一、DTL“与非”门的基本原理15

二、DTL的电压传输特性18

三、门电路的参数19

四、改进的DTL25

五、DTL驱动器27

六、高阈值逻辑电路（HTL）30

§2-3　晶体管-晶体管逻辑电路31

一、TTL的工作原理31

二、典型的TTL“与非”门33

三、TTL的改进形式44

四、TTL逻辑功能的扩展49

一、某些工艺参数的选定56

§2-4　版图设计56

二、元件的图形设计57

三、版图实例74

§2-5　发射极耦合逻辑门78

一、ECL的基本电路78

二、ECL的输出级及定偏电源电路80

三、ECL的电压传输特性及其它基本性能81

第三章　MOS集成电路84

§3-1　MOS晶体管84

一、MOS晶体管的一般介绍84

二、对MOS器件阈值电压VT的分析86

三、MOS晶体管的特性曲线91

四、MOS晶体管的跨导（gm）和通导电阻（Rom）95

五、MOS晶体管的源-漏击穿电压、栅击穿电压和栅保护97

六、MOS晶体管的衬底偏压效应99

§3-2 MOS集成电路中的基本单元电路101

一、MOS集成电路中的倒相器101

二、MOS集成电路中的基本门电路118

§3-3 MOS集成电路的工艺概况123

一、铝栅p-MOS工艺123

二、n-MOS硅栅工艺126

三、C-MOS工艺和C2L器件127

一、触发器的逻辑结构和功能131

第四章　触发器及其它功能器件131

§4-1 触发器131

二、MOS触发器电路145

三、双极型TTL触发器149

§4-2　其它功能器件154

一、全加器154

二、寄存器和移位寄存器155

三、计数器和数码显示157

四、译码器和数据选通器161

第五章　大规模集成电路165

§5-1　动态MOS基本电路166

一、动态有比电路167

二、动态无比电路169

§5-2　MOS移位寄存器171

一、移位寄存器的基本单元171

二、移位寄存器的应用176

§5-3　随机存取存贮器（RAM）178

一、存贮单元179

二、RAM的结构182

§5-4 只读存贮器（ROM）189

一、二极管（ROM）189

二、MOS只读存贮器（MOS ROM）190

三、双极型ROM191

四、可编程序只读存贮器（PROM）192

五、只读存贮器的应用193

§5-5　集成注入逻辑（I2L）202

一、I2L的基本结构和工作原理202

二、I2L的基本逻辑电路204

§5-6 电荷耦合器件（CCD）207

一、CCD的基本工作原理207

二、CCD的基本参数以及结构上的改进210

三、CCD存贮器212