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目录1

第一篇　逻辑设计基础1

第一章　逻辑代数基础1

1.1　逻辑代数的基本概念1

1.2　逻辑代数的公式3

1.3　逻辑函数的化简6

第二章　触发器33

2.1　触发器的基本形式及类型33

2.2　维持-阻塞触发器及主-从触发器39

2.3　触发器的变换44

第三章　基本逻辑部件50

3.1　加法器50

3.2　译码器55

3.3　计数器64

3.4　移位寄存器73

第二篇　双极型逻辑集成电路76

第四章　集成电路的寄生效应76

4.1　双极型逻辑集成电路的元件结构和寄生效应76

4.2　晶体管模型和有源寄生80

4.3　结电容和扩散电阻模型86

5.1 简易TTL“与非”门93

第五章　晶体管-晶体管逻辑（TTL）集成电路93

5.2　五管单元TTL“与非”门110

5.3　六管单元TTL“与非”门121

5.4　抗饱和TTL“与非”门电路128

5.5　TTL“与非”门电路的温度特性129

5.6　TTL门电路的逻辑扩展133

5.7　双极型集成触发器137

第六章　TTL电路版图设计142

6.1　晶体管设计142

6.2　二极管设计146

6.3　电阻设计148

6.4　版图设计举例152

第七章　发射极耦合逻辑（ECL）电路164

7.1　ECL电路的工作原理164

7.2 ECL电路的特性和参数166

7.3 ECL电路的逻辑扩展172

7.4 ECL电路的设计特点174

第八章 集成注入逻辑（I2L）电路176

8.1 I2L电路的工作原理176

8.2 I2L电路器件分析181

8.3 I2L电路的特性187

8.4 I2L电路的逻辑组合和接口电路199

8.5 I2L电路的版图设计和工艺考虑205

8.6 I2L电路的改进和发展210

第三篇 MOS型逻辑集成电路215

第九章 MOS集成电路中的晶体管215

9.1 MOS晶体管的直流特性215

9 2 MOS晶体管的主要参数218

9.3 MOS晶体管的温度特性230

9.4 衬底偏置效应对阈电压的影响233

第十章 MOS倒相器和门电路235

10.1 电阻负载MOS倒相器235

10.2 E/EMOS倒相器和门电路238

10.3 E/D MOS倒相器和门电路262

10.4 CMOS倒相器和门电路273

10.5 CMOS传输门282

10.6 设计举例286

第十一章 动态MOS电路289

11.1 动态MOS倒相器和门电路289

11.2 动态MOS移位寄存器294

11.3 设计举例305

第十二章 MOS逻辑电路310

12.1 MOS触发器310

12.2 MOS计数器319

12.3 MOS电路设计方法322

第十三章 MOS存储器337

13.1 随机存取存储器337

13.2 唯读存储器和可编程序逻辑阵列347

13.3 可编程序唯读存储器354

第四篇 模拟集成电路364

第十四章 模拟集成电路中的基本电路364

14.1 模拟集成电路基础——差分放大器364

14.2 运算放大器的输入级电路374

14.3 恒流源电路377

14.5 电平位移电路381

14.4 有源负载（动态负载）381

14.6 双端输入变单端输出（单端化）电路383

14.7 输出级及输出级保护电路386

14.8 内部稳压源电路389

14.9 模拟乘法电路394

第十五章 集成运算放大器电路分析397

15.1 运算放大器的基本应用397

15.2 运算放大器的频率补偿技术403

15.3 集成运放电路分析举例（通用型）413

第十六章 模拟集成电路版图设计430

16.1 模拟集成电路中的几种特殊元件430

16.2 集成运算放大器版图设计442