《半导体集成电路 下》求取 ⇩

目录1

第十二章 晶体管的高频特性和噪声1

12-1晶休管的特征频率2

12-1-1特征频率的意义2

12-1-2讯号的时间延迟4

12-1-3特征频率公式10

12-1-4集电极串联电阻的计算方法13

12-1-5影响特征频率的因素17

12-1-6怎样提高特征频率20

12-1-7集成电路中隔离电容对特征频率的影响23

12-2晶体管的最高振荡频率25

12-2-1晶体管的功率增益26

12-2-2最高振荡频率27

12-2-3减小基极电阻的方法28

12-3晶体管的噪声30

12-3-1噪声和噪声系数30

12-3-2晶体管噪声的来源32

第十三章 二极管和晶体管的开关特性35

13-1二极管和晶体管的开关作用35

13-1-1二极管的开关作用36

13-1-2晶体管的开关作用38

13-1-3晶体管的截止态和饱和态39

13-1-4开关电路对二极管和晶体管的要求42

13-2二极管的开关时间42

13-2-1二极管的反向恢复过程43

13-2-2电荷贮存效应45

13-2-3如何减小二极管的反向恢复时间47

13-3晶体管的开关时间49

13-3-1晶体管的开关过程49

13-3-2延迟过程52

13-3-3上升过程54

13-3-4电荷贮存效应和贮存时间56

13-3-5下降过程58

13-3-6开关时间公式59

13-3-7提高开关速度的途径65

13-4开关管的正向压降和饱和压降69

13-4-1二极管的正向压降69

13-4-2晶体管的共发射极正向压降70

134-3晶体管的共发射极饱和压降72

13-5-1二极管的几种型式74

13-5逻辑集成电路中的二极管74

13-5-2金属-半导体二极管80

第十四章 逻辑集成电路原理85

141逻辑操作和逻辑门电路86

14-1-1“与”逻辑操作和“与”门电路86

14-1-2“或”逻辑操作和“或”门电路88

14-1-3“非”逻辑操作和“非”门电路89

14-2二极管-晶体管逻辑集成电路91

14-2-1典型二极管-晶体管逻辑集成电路91

14-2-2改进型二极管-晶体管逻辑集成电路94

14-3晶体管-晶体管逻辑集成电路100

14-3-1晶体管-晶体管逻辑集成电路工作原理101

14-3-2改进型晶体管-晶体管逻辑集成电路105

14-3-3抗饱和晶体管-晶体管逻辑集成电路107

14-4发射极耦合逻辑集成电路111

14-4-1发射极耦合逻辑集成电路工作原理111

14-4-2典型发射极耦合逻辑集成电路114

14-4-3改进型发射极耦合逻辑集成电路119

14-55JZ12型晶体管-晶体管逻辑集成电路特性分析121

14-5-1静态特性分析122

14-5-2瞬态特性分析137

14-5-3电路设计分析150

14-6典型发射极耦合逻辑集成电路特性分析153

14-6-1静态特性分析154

14-6-2瞬态特性分析158

14-6-3电路设计分析161

14-7其他逻辑集成电路介绍164

14-7-1可变阈值逻辑集成电路165

14-7-2低功耗逻辑集成电路166

14-9触发器介绍168

14-9-1置位-复位触发器171

14-9-2主-从触发器173

第十五章 逻辑集成电路的测试178

15-1-1逻辑门电路参数的测试原理和方法179

15-1饱和型逻辑门电路参数的测试179

15-1-2初测184

15-1-3测试结果分析188

15-2触发器参数的测试195

15-3-1测试方法200

15-3发射极耦合逻辑门电路参数的测试200

15-3-2测试结果分析204

第十六章 线性集成电路原理207

16-1线性集成电路的特点207

16-2差分放大电路210

16-2-1差分放大电路的基本形式210

16-2-2差分放大电路的改进形式和偏置电路214

16-2-3最简单的实用差分放大电路218

16-3直流放大器219

16-3-1直流放大器的漂移问题219

16-3-2直流放大器中的缓冲电路220

16-3-3直流放大器中的电平配置电路221

16-3-45G922直流运算放大器224

16-3-5中增益直流放大器226

16-4宽带放大器227

16-4-1影响放大器高频特性的因素228

16-42扩展放大器频带宽度的方法229

16-4-3多级放大器的频带宽度及提高带宽的办法234

16-4-45G722负反馈宽带放大器239

16-4-5BG302负反馈宽带差分放大器240

第十七章 线性集成电路的测试243

17-1宽带放大器参数的测试243

17-1-1静态功耗Pj244

17-1-2功率增益KP245

17-1-3频带宽度△f247

17-1-4频率响应不平坦度ε(％)249

17-1-5噪声系数Nzs249

17-1-6宽带放大器参数和工作条件的关系252

17-2直流运算放大器参数的测试255

17-2-1静态功耗Pj257

17-2-2输入失调电压Vrs和输入失调电流Irs257

17-2-3开环电压增益Kvk和动态范围(Vrmn,Vcmn)262

17-2-4共模抑制比Ngyb264

17-2-5输入阻抗Rsr和输出阻抗Rsc266

17-2-6零点漂移(温度漂移系数NTP，时间漂移系数Ntp)267

18-1集成电路设计一般考虑269

18-1-1集成电路设计的特点269

第十八章 集成电路的设计269

18-1-2p-n结隔离中材料的选择270

18-2集成电路中的晶体管273

18-2-1集成电路中晶体管的设计273

18-2-2集成电路中晶体管的有源寄生效应281

18-2-3p-n-p晶体管286

183集成电路中的电阻器289

18-3-1扩散电阻的特性289

18-3-2扩散电阻器的图形设计294

18-3-3沟道电阻295

18-4集成电路中的电容器296

18-4-1扩散电容器296

18-4-2金属-氧化物半导体电容器299

185集成电路的内部布线300

18-6集成电路的设计原则和设计实例302

18-6-1设计电路版的基本原则302

18-6-2逻辑集成电路设计实例304

18-6-3线性集成电路设计实例309

第十九章 金属-氧化物-半导体逻辑集成电路313

19-1金属-氧化物-半导体场效应晶体管313

19-1-1半导体表面的反型层315

19-1-2金属-氧化物-半导体本场效应晶体管的工作原理316

19-1-3n沟道增强型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的特性318

19-1-4p沟道增强型金属-氧化物-半导体场效应晶体管的特性323

19-2金属-氧化物-半导体逻辑集成电路325

19-2-1金属-氧化物-半导体场效应晶体管在逻辑集成电路中的应用325

19-2-2金属-氧化物-半导体门电路331

19-3金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的设计及制造工艺333

19-3-1金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的制造工艺333

19-3-2金属-氧化物-半导体逻辑集成电路的设计338

第二十章 封装方法及可靠性分析341

20-1集成电路的封装方法341

20-1-1TO-5型封装342

20-1-2扁平封装343

20-1-3两种封装方法的比较346

20-2集成电路可靠性的分析347

20-2-1可靠性的意义347

20-2-2引起集成电路失效的因素348

20-2-3解决早期失效的老化试验351

20-2-4测定可靠性水平的试验353

附录八 5J型电路直流参数测试仪线路图355

附录九 5J型电路平均延迟时间测试仪线路图356

附录十 5J型电路直流参数初测仪线路图356

14-8各种逻辑门电路比较1167