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目录1

序言1

第一章电子器件1

1.1 理想半导体二极管1

1.2 二极管特性随温度的变化3

1.3 二极管的过渡电容4

1.4 齐纳二极管4

1.5 集成电路中的二极管6

1.6 作为开关应用的晶体管6

1.7 晶体管特性的解析表达式8

1.8 截止时的晶体管10

1.9 饱和时的晶体管开关11

1.10 埃伯斯-莫尔方程应用于饱和区12

1.11 场效应晶体管17

1.12 金属-氧化物-半导体场效应晶体管20

1.13 MOS开关22

1.14 MOSFET开关的输入-输出特性24

1.15 互补对称MOSFET25

1.16 输入保护电路27

1.17 二极管的开关速度27

1.18 贮存时间和过渡时间29

1.19 肖特基二极管30

1.20 双极型晶体管的开关速度30

1.21 FET器件的开关速度33

1.22 上升、下降时间和延迟时间33

第二章 运算放大器和比较器36

2.1 运算放大器36

2.2 虚地37

2.3 运算37

2.4 输出阻抗39

2.5 运算放大器的电子学40

2.6 放大器总体42

2.7 采用运算放大器作同相放大42

2.8 同相放大器的阻抗43

2.9 实际考虑44

2.10 补偿44

2.11 共模抑制比45

2.12 运算放大器的性能45

2.13 比较器46

2.14 集成电路放大器比较器47

2.15 集成电路放大器比较器的计算48

2.16 实际比较器的特性52

2.17 施密特触发电路53

2.18 施密特触发器实例55

第三章 逻辑电路58

3.1 引言58

3.2 一个二进制变量的函数58

3.3 两个二进制变量的函数59

3.4 或函数60

3.5 与非操作和或非操作61

3.6 异或操作63

3.7 其他函数64

3.8 逻辑变量64

3.9 0,1表示法66

3.10 必要和充分的运算67

3.11 布尔代数公式68

3.12 实例70

3.13 二进制数制71

3.14 格雷(GREY)反射二进制码73

3.15 逻辑函数的标准形式:积的标准和74

3.16 和的标准积75

3.17 逻辑函数的最小项和最大项标志法77

3.18 逻辑函数的卡诺图表示78

3.19 用于二,三和四个变量的卡诺图表示80

3.20 用卡诺图化简逻辑函数81

3.21 卡诺图上更大的合并83

3.22 用于五个和六个变量的卡诺图84

3.23 卡诺图的使用85

3.24 未用最小项表达的函数的卡诺图画法88

3.25 用与非门或者或非门综合90

3.26 不完全指定的函数91

第四章 电阻-晶体管逻辑(RTL)和集成注入逻辑(IIL)93

4.1 电阻-晶体管逻辑门93

4.2 直接耦合晶体管逻辑(DCTL)门电路94

4.3 DCTL门的抢电流效应96

4.4 电阻-晶体管逻辑(RTL)96

4.5 扇出98

4.6 级联RTL门的输入-输出电压特性101

4.7 RTL缓冲器104

4.8 RTL异或门106

4.9 产品规格107

4.10 RTL门的并联109

4.11 工作电压规定110

4.12 传输延迟时间111

4.13 集成注入逻辑(IIL)113

4.14 IIL的实际结构116

4.15 一个IIL译码器118

4.16 电流和电压电平119

第五章 二极管-晶体管逻辑121

5.1 二极管-晶体管逻辑门121

5.2 扇出123

5.3 集成电路DTL门124

5.4 输入-输出特性126

5.5 DTL门的产品规格128

5.6 固线与连接130

5.7 高阈值逻辑132

5.8 HTL门的输入-输出特性133

5.9 产品规格133

第六章 晶体管-晶体管逻辑135

6.1 晶体管-晶体管逻辑(简称TTL)135

6.3 输入晶体管136

6.2 TTL门和DTL门的比较136

6.4 有源提升负载137

6.5 忽略输入晶体管的TTL门的输入-输出特性138

6.6 输入晶体管的输入-输出特性曲线142

6.7 多发射极晶体管144

6.8 TTL门的输入伏安特性曲线145

6.9 TTL门的输出伏安特性曲线146

6.10 生产厂家的数据及规范;温度依赖关系及噪声容限148

6.11 电源电流的消耗151

6.12 TTL门的类型152

6.13 肖特基TTL155

6.14 其他TTL逻辑门156

第七章 发射极耦合逻辑157

7.1 引言157

7.2 ECL门158

7.3 ECL晶体管结电压158

7.4 或输出的转移特性159

7.5 或非输出161

7.6 产品规格:转移特性162

7.7 扇出162

7.8 工作速度164

7.9 具有温度补偿的偏置电源165

7.10 ECL门的多种逻辑功能166

7.11 负电源电压167

7.12 电平转换168

7.13 ECL门的互连170

第八章 MOS门176

8.1 MOS场效应晶体管的解析式176

8.2 温度效应178

8.3 MOS倒相器178

8.4 CMOS倒相器180

8.5 CMOS倒相器转移特性的计算180

8.6 MOS门182

8.7 MOS门的上升时间183

8.8 下降时间184

8.9 CMOS门185

8.10 CMOS门的上升和下降时间186

8.11 产品规格187

8.12 BJT门和CMOS门的接口188

第九章 触发器191

9.1 引言191

9.2 术语191

9.3 作为记忆元件的触发器192

9.4 采用与非门的触发器193

9.5 没有抖动的开关193

9.6 时钟触发器195

9.7 触发器的内部连接:主从触发器197

9.8 AC耦合边沿触发的触发器200

9.9 时钟AC耦合触发器202

9.10 电容储存触发器204

9.11 传输延时触发器205

9.12 JK触发器206

9.13 D型触发器207

9.14 RTL SR触发器209

9.15 DTL触发器209

9.16 RTL传输延时触发器212

9.17 ECL触发器214

9.18 JK AC耦合ECL触发器215

9.19 产品性能指标218

9.20 TTL JK触发器218

9.21 MOS触发器220

第十章 寄存器和计数器224

10.1 移位寄存器224

10.2 时钟控制226

10.3 串行-并行数据变换226

10.4 循环进位226

10.5 右移、左移寄存器226

10.6 脉动计数器227

10.7 改善计数器速度的方法230

10.8 非二进制计数器232

10.9 模数3计数器232

10.10 模数5计数器234

10.11 封锁236

10.12 不同模数的计数器的组合238

10.13 其他计数器的设计239

10.14 升-降脉动计数器240

10.15 升-降同步计数器241

10.16 环行计数器242

10.17 时序发生器244

第十一章 算术运算249

11.1 两个二进制数的加法249

11.2 全加器250

11.3 串行加法器251

11.4 并行加法252

11.5 多于两个数的加法254

11.6 快速加法器;超前进位256

11.7 减法258

11.8 补数259

11.9 用寄存器表示带符号的数字261

11.10 用补数和加法实现减法263

11.11 2的补数的加法和减法263

11.12 1的补数的加法和减法264

11.13 具有符号的数字序列的加法和减法266

11.14 饱和加法器266

11.15 定标268

11.16 乘法270

11.17 除法271

11.18 运算逻辑单元(简称ALU)272

第十二章 半导体存储器274

12.1 存储器的种类274

12.2 移位寄存器式的时序存储器275

12.3 MOS寄存器单元277

12.4 双相无比移位寄存器280

12.5 四相无比寄存单元281

12.6 CMOS寄存单元282

12.7 静态移位寄存单元284

12.8 三相静态寄存单元285

12.9 只读存储器286

12.10 ROM的实施288

12.11 可编程序和可擦ROM289

12.12 ROM的应用290

12.13 双极晶体管随机存取存储单元291

12.14 其他双极晶体管存储单元293

12.15 MOS随机存取存储器294

12.16 RAM的结构298

12.17 多片半导体存储器集成电路的并联300

12.18 电荷耦合器件(CCD)302

12.19 电荷的存储303

12.20 电荷的转移304

12.21 输入和输出电路307

第十三章 模拟开关309

13.1 模拟门的基本工作原理309

13.2 开关电路的应用310

13.3 二极管传输门316

13.4 双极晶体管门324

13.5 场效应晶体管门327

13.6 运算放大器327

13.7 以运算放大器为负载的FET门328

13.8 取样和保持电路330

13.9 FET门驱动器334

13.10 CMOS门电路336

13.11 模拟开关的应用338

13.12 取样-保持放大器的产品指标341

第十四章 模拟-数字变换342

14.1 引言342

14.2 取样原理342

14.3 时间分割多路传输344

14.4 量化345

14.5 权电阻D/A变换器347

14.6 R-2R梯形D/A变换器349

14.7 用于D/A变换器的开关352

14.8 电流驱动的D/A变换器354

14.9 倒梯形D/A变换器356

14.10 D/A变换器的输入与输出的格式358

14.11 D/A变换器的指标361

14.12 A/D变换器:并联比较型363

14.13 逐次逼近型变换器367

14.14 计数式变换器371

14.15 双斜率变换器373

14.16 各种变换器的比较374

14.17 采用电压-频率转换的变换器375

14 18 采用电压-时间转换的变换器377

14.20 S/H和A/D变换器的互连378

14.19 A/D变换器的指标378

14.21 δ调制379

14.22 自适应δ调制382

第十五章 定时电路384

15.1 CMOS多谐振荡器384

15.2 CMOS无稳态多谐振荡器388

15.3 采用ECL门的单稳态多谐振荡器389

15.4 具有短定时间隔的多谐振荡器392

15.5 集成电路TTL单稳态多谐振荡器394

15.6 集成电路定时器396

附录 传输线398

A.1 引言398

A.2 特性阻抗399

A.3 反射400

A.4 多次反射400

A.5 波形上升时间的影响401

习题403

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