《集成电子学 上 模拟、数字电路和系统》求取 ⇩

目录1

第一章 固体中的能带1

1-1带电粒子1

1-2场强、电位、能量2

1-3能量的电子伏特（eV）单位5

1-4原子的性质6

1-5原子的能级8

1-6元素的电子结构12

1-7晶体的能带理论15

1-8绝缘体、半导体和金属17

复习题19

参考书刊20

习题20

第二章 半导体中的迁移现象25

2-1迁移率和导电率25

2-2本征半导体中的电子和空穴28

2-3施主杂质和受主杂质31

2-4半导体中的电荷密度33

2-5锗和硅的电性质34

2-6霍耳效应37

2-7导电率的调制39

2-8电荷的生成和复合42

2-9扩散45

2-10连续性方程47

2-11注入的少数载流子48

2-12递变掺杂的半导体内的电位变化51

2-13小结54

复习题55

参考书刊56

习题57

3-1开路的pn结60

第三章 结型二极管的特性60

3-2作为整流器的pn结63

3-3 pn结二极管的各个电流分量66

3-4伏安特性曲线69

3-5伏安特性与温度的关系73

3-6二极管的电阻74

3-7空间电荷层电容（或过渡层电容）CT75

3-8二极管的电荷控制描述式80

3-9扩散电容82

3-10结型二极管的开关时间84

3-11击穿二极管87

3-12隧道二极管90

3-13半导体光电二极管93

3-14光伏特效应95

3-15发光二极管97

复习题98

参考书刊100

习题101

第四章 二极管电路107

4-1作为电路元件的二极管107

4-2负载线的概念109

4-3二极管的分段线性化模型110

4-4削波（限幅）电路114

4-5两个不同电平处的削波作用117

4-6比较器120

4-7取样门121

4-8整流器124

4-9其它的全波整流电路130

4-10电容滤波器131

4-11其它的二极管电路136

复习题138

习题140

参考书刊140

第五章 晶体管的特性曲线149

5-1结型晶体管149

5-2晶体管的各个电流分量152

5-3作为放大器的晶体管155

5-4晶体管的构造156

5-5共基极电路158

5-6共发射极电路163

5-7共发射极的截止区167

5-8共发射极的饱和区169

5-9晶体管结电压的典型数值172

5-10共发射极电流增益177

5-11共集电极电路178

5-12晶体管特性曲线的解析表示式179

5-13最高额定电压183

5-14光电晶体管186

复习题187

参考书刊189

习题190

第六章 数字电路198

6-1数字（二进制）系统的运用198

6-2“或”门201

6-3“与”门204

6-4“非”电路或“反相器”电路206

6-5晶体管的开关时间210

6-6“禁止”（选通）运算213

6-7异或电路214

6-8狄·莫根定律216

6-9“与非”及“或非”二极管——晶体管逻辑（DTL）门219

6-10改进型（集成电路型）DTL门224

6-11高阈逻辑（HTL）门230

6-12晶体管-晶体管逻辑（TTL）门231

6-13输出级233

6-14电阻-晶体管逻辑（RTL）和直接耦合晶体管逻辑（DGTL）236

6-15各种逻辑族的比较240

复习题242

参考书刊244

习题244

第七章 集成电路的制造和特性257

7-1集成电路的工艺257

7-2基本的单片集成电路258

7-3外延生长263

7-4掩模和刻蚀264

7-5杂质的扩散265

7-6单片电路中的晶体管270

7-7单片二极管276

7-8集成电阻278

7-9集成电容和电感281

7-10集成电路的布局283

7-11其它的隔离方法287

7-12大规模集成（LSI）和中规模集成（MSI）290

7-13金属-半导体接触291

复习题293

参考书刊295

习题296

第八章 晶体管的低频运用301

8-1共发射极接法的图解分析301

8-2二端口器件及h参数模型305

8-3晶体管的h参数模型307

8-4h参数309

8-5晶体管三种接法的h参数变换公式312

8-6用h参数分析晶体管放大电路314

8-7戴维宁定理和诺顿定理及其推论319

8-8射极跟随器321

8-9晶体管放大器三种接法的比较322

8-10晶体管电路的线性分析325

8-11密勒定理及其对偶定理325

8-12晶体管级联放大器329

8-13简化的共发射极h参数模型334

8-14共集电极接法的简化计算336

8-15有发射极电阻的共发射极放大器340

8-16高输入电阻的晶体管电路345

复习题351

参考书刊353

习题354

第九章 晶体管的偏置和热稳定性368

9-1工作点368

9-2偏置的稳定性371

9-3自偏置或发射极偏置373

9-4对Ico、VBE和β变化采取的稳定措施376

9-5关于集电极电流稳定的一般说明382

9-6偏置的补偿388

9-7线性集成电路的偏置技术390

9-8热敏电阻型和感温电阻型补偿392

9-9热失控393

9-10热稳定395

复习题398

参考书刊399

习题399

第十章 场效应晶体管405

10-1结型场效应晶体管406

10-2夹断电压VP410

10-3结型场效应晶体管的伏安特性411

10-4场效应晶体管的小信号模型414

10-5金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOSFET）418

10-6MOSFET数字电路425

10-7低频共源和共漏放大器430

10-8场效应晶体管的偏置433

10-9场效应晶体管作为压变电阻（VVR）438

10-10高频共源放大器440

10-11高频共漏极放大器444

复习题445

参考书刊446

习题447

附录A458

附录B459