《电子电路数字与模拟》

第一篇 晶体管基础和集成电路工艺第一章 PN结魏志源译1

1-1 半导体载流子1

1-2 剩余载流子6

1-3 扩散电流和漂移电流7

1-4 少子扩散方程10

1-5 PN结13

1-6 结电压与边界关系17

1-7 二极管方程19

1-8 正偏置二极管22

1-9 反偏置二极管23

1-10 结电容26

参考文献28

习题28

第二章 结型晶体管魏志源译33

2-1 少子电流34

2-2 端电流35

2-3 基极电流IB37

2-4 静特性曲线39

2-5 各种工作区44

2-6 击穿电压48

2-7 结电容50

2-8 PNP晶体管51

参考文献52

习题52

第三章 场效应晶体管魏志源译56

3-1 增强型MOSFET工作原理56

3-2 增强型MOSFET特性59

3-3 耗尽型MOSFET67

3-4 JFET64

参考文献72

习题72

第四章 集成电路工艺魏志源译75

4-1 晶体管制造75

4-2 微电子学77

4-3 膜式集成电路82

4-4 离子注入83

参考文献84

习题84

第二篇 数字电路86

第五章 组合逻辑设计杨钟英译86

5-1 基本逻辑门86

5-2 狄·摩根定律91

5-3 卡诺图94

5-4 其它组合逻辑电路98

参考文献102

习题102

第六章 逻辑门开关杨有柱译105

6-1 基本逻辑门106

6-2 直流分析109

6-3 晶体管开关113

6-4 导通117

6-5 断开119

参考文献122

习题122

第七章 双极型晶体管门电路杨有柱译124

7-1 晶体管-晶体管逻辑（TTL）124

7-2 集成注入逻辑（I2L）129

7-3 I2L的构造和特性133

7-4 肖特基I2L137

7-5 射极耦合逻辑（ECL）140

7-6 ECL门的输出级144

7-7 ECL的特性145

参考文献148

习题149

第八章 MOS逻辑门杨建勋译151

8-1 PMOS逻辑151

8-2 瞬态响应154

8-3 动态MOS门156

8-4 NMOS逻辑160

8-5 互补对称MOS逻辑（CMOS）163

8-6 CMOS门167

参考文献171

习题171

第九章 触发器杨建勋译174

9-1 RS闩锁174

9-2 RS触发器177

9-3 JK触发器179

9-4 CMOS触发器电路183

9-5 I2L闩锁和触发器187

9-6 施密特触发器189

9-7 时序网络的设计193

参考文献198

习题198

第十章 半导体存贮器杨钟英译202

10-1 随机存取存贮器（RAM）202

10-2 双极型存贮器208

10-3 动态存贮器215

10-4 按序存取存贮器221

参考文献226

习题227

第十一章 只读存贮器、多路选择器及微处理器杨钟英译229

11-1 只读存贮器（ROM）229

11-2 可编程序逻辑阵列（PLA）233

11-3 ROM的应用237

11-4 多路选择器239

11-5 微处理器241

11-6 微型计算机软件245

参考文献247

习题247