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目录1

译者的话1

作者前言1

第一章 固体中的能带1

1-1 带电粒子1

1-2 场强、电位、能量2

1-3 能量的电子伏特（eV）单位5

1-4 原子的性质6

1-5 原子的能级8

1-6 元素的电子结构12

1-7 晶体的能带理论15

1-8 绝缘体、半导体和金属17

复习题19

参考书刊20

习题20

第二章 半导体中的迁移现象25

2-1 迁移率和导电率25

2-2 本征半导体中的电子和空穴28

2-3 施主杂质和受主杂质31

2-4 半导体中的电荷密度33

2-5 锗和硅的电性质34

2-6 霍耳效应37

2-7 导电率的调制39

2-8 电荷的生成和复合42

2-9 扩散45

2-10 连续性方程47

2-11 注入的少数载流子48

2-12 递变掺杂的半导体内的电位变化51

2-13 小结54

复习题55

参考书刊56

习题57

第三章 结型二极管的特性60

3-1 开路的pn结60

3-2 作为整流器的pn结63

3-3 pn结二极管的各个电流分量66

3-4 伏安特性曲线69

3-5 伏安特性与温度的关系73

3-6 二极管的电阻74

3-7 空间电荷层电容（或过渡层电容）CT75

3-8 二极管的电荷控制描述式80

3-9 扩散电容82

3-10 结型二极管的开关时间84

3-11 击穿二极管87

3-12 隧道二极管90

3-13 半导体光电二极管93

3-14 光伏特效应95

3-15 发光二极管97

复习题98

参考书刊100

习题101

第四章 二极管电路107

4-1 作为电路元件的二极管107

4-2 负载线的概念109

4-3 二极管的分段线性化模型110

4-4 削波（限幅）电路114

4-5 两个不同电平处的削波作用117

4-6 比较器120

4-7 取样门121

4-8 整流器124

4-9 其它的全波整流电路130

4-10 电容滤波器131

4-11 其它的二极管电路136

复习题138

习题140

参考书刊140

第五章 晶体管的特性曲线149

5-1 结型晶体管149

5-2 晶体管的各个电流分量152

5-3 作为放大器的晶体管155

5-4 晶体管的构造156

5-5 共基极电路158

5-6 共发射极电路163

5-7 共发射极的截止区167

5-8 共发射极的饱和区169

5-9 晶体管结电压的典型数值172

5-10 共发射极电流增益177

5-11 共集电极电路178

5-12 晶体管特性曲线的解析表示式179

5-13 最高额定电压183

5-14 光电晶体管186

复习题187

参考书刊189

习题190

第六章 数字电路198

6-1 数字（二进制）系统的运用198

6-2 “或”门201

6-3 “与”门204

6-4 “非”电路或“反相器”电路206

6-5 晶体管的开关时间210

6-6 “禁止”（选通）运算213

6-7 异或电路214

6-8 狄·莫根定律216

6-9 “与非”及“或非”二极管——晶体管逻辑（DTL）门219

6-10 改进型（集成电路型）224

DTL门224

6-11 高阈逻辑（HTL）门230

6-12 晶体管-晶体管逻辑（TTL）门231

6-13 输出级233

6-14 电阻-晶体管逻辑（RTL）和直接耦合晶体管逻辑（DGTL）236

6-15 各种逻辑族的比较240

复习题242

参考书刊244

习题244

第七章 集成电路的制造和特性257

7-1 集成电路的工艺257

7-2 基本的单片集成电路258

7-3 外延生长263

7-4 掩模和刻蚀264

7-5 杂质的扩散265

7-6 单片电路中的晶体管270

7-7 单片二极管276

7-8 集成电阻278

7-9 集成电容和电感281

7-10 集成电路的布局283

7-11 其它的隔离方法287

7-12 大规模集成（LSI）和中规模集成（MSI）290

7-13 金属-半导体接触291

复习题293

参考书刊295

习题296

第八章 晶体管的低频运用301

8-1 共发射极接法的图解分析301

8-2 二端口器件及h参数模型305

8-3 晶体管的h参数模型307

8-4 h参数309

8-5 晶体管三种接法的h参数变换公式312

8-6 用h参数分析晶体管放大电路314

8-7 戴维宁定理和诺顿定理及其推论319

8-8 射极跟随器321

8-9 晶体管放大器三种接法的比较322

8-10 晶体管电路的线性分析325

8-11 密勒定理及其对偶定理325

8-12 晶体管级联放大器329

8-13 简化的共发射极h参数模型334

8-14 共集电极接法的简化计算336

8-15 有发射极电阻的共发射极放大器340

8-16 高输入电阻的晶体管电路345

复习题351

参考书刊353

习题354

第九章 晶体管的偏置和热稳定性368

9-1 工作点368

9-2 偏置的稳定性371

9-3 自偏置或发射极偏置373

9-4 对ICO、VBE和β变化采取的稳定措施376

9-5 关于集电极电流稳定的一般说明382

9-6 偏置的补偿388

9-7 线性集成电路的偏置技术390

9-8 热敏电阻型和感温电阻型补偿392

9-9 热失控393

9-10 热稳定395

复习题398

参考书刊399

习题399

第十章 场效应晶体管405

10-1 结型场效应晶体管406

10-2 夹断电压VP410

10-3 结型场效应晶体管的伏安特性411

10-4 场效应晶体管的小信号模型414

10-5 金属-氧化物-半导体场效应晶体管418

（MOSFET）418

10-6 MOSFET数字电路425

10-7 低频共源和共漏放大器430

10-8 场效应晶体管的偏置433

10-9 场效应晶体管作为压变电阻（VVR）438

10-10 高频共源放大器440

10-11 高频共漏极放大器444

复习题445

参考书刊446

习题447

附录A458

附录B459