《半导体实验教程 基础部分》

目录3

第一部分半导体物理3

实验1-1 半导体常温霍尔效应研究3

实验1-2 双脉冲法测量半导体中少数载流子寿命9

实验1-3 光电导衰减法测量硅中少子寿命14

实验1-4 硅缺陷显示与观察18

实验1-5 四探针法测半导体材料电阻率及方块电阻22

实验1-6 椭圆偏振法测量半导体表面介质薄膜厚度和折射率32

实验1-7 p-n结电容的测量40

实验1-8 MOS结构C-V特性测量44

实验1-9 用准静态C-V法测量硅-二氧化硅界面态密度51

实验1-10 硅太阳电池的测量57

实验1-11 电解水氧化-干涉法测p-n结结深61

实验1-12 滚槽法测结深65

实验1-13 二次谐波法测量纵向杂质浓度分布69

附录73

参考文献75

实验2-1 用JT-1图示仪检测双极型晶体管79

第二部分 晶体管79

实验2-2 晶体管hFE随注入电流变化测试89

实验2-3 晶体管电流增益hFE的温度特性测试91

实验2-4 晶体管热阻测量94

实验2-5 晶体管低频H参数与反向电流测量100

实验2-6 晶体管fT随工作电流、工作电压的变化104

实验2-7 晶体管开关时间测量107

实验2-8 用JT-1图示仪检测场效应晶体管110

参考文献117

实验3-1 TTL与非门电路的模拟与测试121

第三部分 半导体集成电路121

实验3-2 TTL静态参数测试124

实验3-3 TTL与非门电路输入输出特性测试131

实验3-4 TTL与非门电路电压传输特性的测试135

实验3-5 CMOS集成电路的直流参数测试（一）138

实验3-6 CMOS集成电路的直流参数测试（二）142

实验3-7 CMOS集成电路动态参数测试146

实验3-8 集成运算放大器参数的测量148

参考文献154