《SOI技术 21世纪的硅集成电路技术》求取 ⇩

作者	（比）考林基（Colinge，J.P.）著；武国英等译编者
出版	北京：科学出版社
参考页数	215 ✅ 真实服务非骗流量 ❤️
出版时间	1993（求助前请核对）目录预览
ISBN号	703003757X — 违规投诉 / 求助条款
PDF编号	87601938（学习资料勿作它用）
求助格式	扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册）

SOI技术 21世纪的硅集成电路技术 1993 PDF电子版封面 703003757X （比）考林基（Colinge，J.P.）著；武国英等译

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第一章引论1

第二章SOI材料5

2.1 异质外延技术5

2.2 激光再结晶11

2.3 电子束再结晶17

2.4 区熔再结晶19

2.5 同质外延技术29

2.6 多孔氧化硅全隔离技术31

2.7 注氧隔离技术34

2.8 注氮隔离技术和注氧、氮隔离技术44

2.9 硅片键合和反面腐蚀46

2.10 材料应用49

第三章SOI材料的表征技术52

3.1 膜厚度测量53

3.2 晶体质量62

3.3 硅膜的沾污70

3.4 载流子寿命和表面复合72

3.5 硅-二氧化硅界面80

第四章SOI CMOS技术85

4.1 体硅器件和SOI器件工艺的比较85

4.2 隔离技术86

4.3 杂质分布91

4.4 源和漏区的硅化物化93

4.5 SOI MOSFET设计94

4.6 SOI CMOS与体硅CMOS设计的比较96

第五章SOI MOSFET98

5.1 引言98

5.2 厚膜器件与薄膜器件的区分99

5.3 I-V特性103

5.4 跨导和迁移率118

5.5 亚阈值斜率122

5.6 碰撞电离和强场效应128

5.7 寄生双极晶体管效应133

5.8 积累型P沟道MOSFET137

6.1 源于体硅的非常规器件146

第六章其它SOI器件146

6.2 新型特殊SOI器件150

第七章恶劣环境下工作的SOI MOSFET的性能160

7.1 辐射环境160

7.2 高温工作环境167

7.3 低温工作171

第八章SOI电路174

8.1 抗辐照和耐高温电路174

8.2 VLSI和高速CMOS电路176

8.3 三维集成电路179

参考文献186

索引208

1993《SOI技术 21世纪的硅集成电路技术》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由（比）考林基（Colinge，J.P.）著；武国英等译 1993 北京：科学出版社出版的版本）。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。

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