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目录1

译者的话1

序言1

一、SUPREM程序现状1

1.1 热氧化2

1.2 离子注入6

1.3 扩散12

1.3A 磷15

1.3B 砷16

1.3C 氧化增强扩散17

1.3D 预淀积和界面分凝18

1.4 外延19

1.5 化学汽相淀积（CVD）21

1.6 材料研究25

1.7 SUPREM程序的实现途径32

参考文献37

二、去年主要成果41

2.1 热氧化41

2.2 离子注入和扩散41

2.3 化学汽相淀积42

2.4 材料研究和界面物理42

2.5 扩充SUPREM程序42

详细技术报告44

三、高压氧化44

3.1 引言44

3.2 实验过程44

3.3 结果和讨论45

3.4 小结49

参考文献50

四、薄层氧化生长动力学51

4.1 引言51

4.2 实验技术——椭圆偏振光测厚仪原位测量53

4.3 轻掺杂硅在100％氧气中氧化56

4.4 小结57

参考文献58

五、掺氯氧化动力学——SUPREM程序扩充59

参考文献61

六、氧化工艺微观动力学模拟62

参考文献67

七、离子注入射程统计68

7.1 引言68

7.2 射程统计的玻尔兹曼输运方程法69

7.3 氧反冲射程分布70

7.4 银膜注氪引起的银反冲产额72

7.5 化合物半导体理想配比紊乱74

7.6 小结75

参考文献76

8.2 最近成果概述77

八、多晶硅电阻率77

8.1 引言77

8.2.1 LPCVD（低压化学汽相淀积）硅的结构性质78

8.2.2 LPCVD硅的电学性能78

8.2.3 多晶硅中掺杂剂分凝78

8.2.4 多晶硅电导新模型78

8.2.5 电导理论模型与实验数据比较78

8.3 多晶硅电导理论模型79

8.3.1 改进模型的必要性79

8.3.2 理论模型要素79

8.3.3 载流子输运81

8.3.4 电流-电压关系83

8.4 电导理论模型与实验数据比较88

8.4.1 晶粒间界参数的确定90

8.4.2 用理论模型预测电阻率91

参考文献93

8.5 小结93

9.1 引言95

九、多晶硅热氧化95

9.2 实验结果和讨论96

9.3 小结100

参考文献100

十、多晶硅晶粒生长机理101

10.1 引言101

10.2 实验101

10.3 多晶硅的晶粒生长机理102

10.4 结果和讨论104

10.5 小结107

参考文献108

11.1 引言109

11.2 实验和结果109

十一、掺杂多晶硅／硅结构的氧化增强扩散109

参考文献115

十二、用于互连的难熔金属硅化物116

12.1 引言116

12.2 硅化钨栅MOS电容117

12.3 硅化钨栅MOS晶体管121

12.4 小结123

参考文献124

十三、研究流程中各工艺特性的难熔金属硅化物126

13.1 引言126

13.2 耐高温电极制备工艺的开发127

13.3 小剂量注入的退火128

13.4 大剂量注入的退火与损伤吸杂128

13.5 小结129

参考文献129

14.1 引言131

十四、氯在二氧化硅中输运与嵌入的俄歇谱和离子质谱研究131

14.2 实验技术133

14.3 氯在二氧化硅中输运的理论研究137

14.4 实验结果140

14.5 模拟氯输运和嵌入144

14.6 讨论147

14.7 小结151

参考文献151

十五、硅／二氧化硅界面掺杂剂分凝153

15.1 引言153

15.2 实验测量153

15.3 掺杂剂分凝理论机制157

15.3.1 可能键力综述157

15.3.2 分凝掺杂剂电学特性159

15.3.3 界面原子排列161

参考文献163

15.4 小结163

十六、用于材料分析的各种波谱技术164

16.1 引言164

16.2 二次离子质量谱（SIMS）164

16.3 卢瑟福背散射谱（RBS）166

16.4 电子能谱（AES和XPS）167

16.5 比较综述168

参考文献168

十七、SUPREM工艺模型的执行过程170

17.1 引言170

17.2 SUPREMⅡ程序中的氧化和杂质再分布效应171

17.3 SUPREM程序工艺模型执行过程174

17.4 SUPREM Ⅲ程序的多层工艺模拟178

17.5 小结183

参考文献184

附录 最新成果186