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概论1

第一章 线性网络分析方程的建立7

1.1 网络拓扑矩阵及其计算机形成7

1.2 节点电压方程的形成14

1.2.1 标准支路和支路导纳矩阵14

1.2.2 节点电压方程18

1.3 直接建立节点电压方程25

1.4 回路分析方程和割集分析方程29

1.5 混合方程法和稀疏表法32

1.6 改进节点法35

第二章 线性代数方程组的求解和稀疏矩阵技术51

2.1 求逆矩阵解法51

2.2 求线性方程组解的克莱姆法53

2.3 高斯消去法55

2.4 高斯约当消去法59

2.5 LU分解法59

2.5.1 克劳特LU分解59

2.5.2 多列特LU分解63

2.5.3 用克劳特LU分解法的FORTRAN程序64

2.6 乔列斯基分解法66

2.7 迭代法67

2.7.1 高斯雅可比法68

2.7.2 高斯塞得尔迭代68

2.7.3 迭代改进解的准确度69

2.8 稀疏矩阵的压缩存储69

2.9 主元的选取与方程的排序76

2.10 矩阵的图形表示79

2.10.1 用无向图表示结构对称矩阵80

2.10.2 用有向图表示不对称矩阵80

2.11 对称阵的填入和长运算次数的图形解释81

2.12 不对称阵消元时的填入和长运算次数86

第三章 交流稳态分析90

第四章 非线性电路的仿真99

4.1 非线性电路方程组的建立100

4.1.1 一个未知量的单个非线性方程100

4.1.2 多个未知量的非线性节点方程组101

4.1.3 非线性混合方程组102

4.2 非线性代数方程的求解105

4.2.1 匹卡德迭代法105

4.2.2 解单个非线性方程的牛顿拉夫逊法107

4.2.3 用牛顿拉夫逊法解非线性代数方程组110

4.3 非线性元件的线性化伴随模型113

4.3.1 二极管的伴随模型113

4.3.2 双极型晶体管的直流伴随模型116

4.3.3 MOSFET的直流伴随模型119

第五章 时域分析123

5.1 数值积分方法125

5.2 数值解法的误差和稳定性128

5.2.1 向前欧拉法130

5.2.2 后退欧拉法132

5.2.3 梯形法132

5.3 储能元件时间离散化的伴随模型133

5.3.1 线性电容133

5.3.2 线性电感137

5.3.3 线性互感138

5.3.4 非线性电容140

5.4 龙格-库塔方法144

5.4.1 二阶龙格库塔法144

5.4.2 三阶龙格库塔法147

5.4.3 显式R级龙格库塔方法150

5.5 多步数值积分方法155

5.5.1 多步积分方法的约束条件157

5.5.2 亚当斯.巴斯弗斯数值积分公式158

5.5.3 亚当斯.英尔顿数值积分公式161

5.5.4 吉尔(Gear)积分法164

第六章 灵敏度分析169

6.1 灵敏度分析的意义169

6.2 灵敏度的定义和求灵敏度的方法171

6.2.1 灵敏度的定义171

6.2.2 直接法求灵敏度172

6.2.3 差商法174

6.2.4 求灵敏度的系统方法176

6.3 伴随网络法177

6.3.1 特勒根定理177

6.3.2 伴随网络的形成及灵敏度计算180

6.4 增量网络法192

6.4.1 增量网络的形成192

6.4.2 增量网络的节点方程198

6.5 最坏情况分析和容差分配201

6.5.1 最坏情况分析201

6.5.2 统计分析法203

6.5.3 容差分配204

第七章 SPICE程序206

7.1 SPICE程序的简单介绍206

7.2 SPICE的内部结构209

7.2.1 READIN模块211

7.2.2 ERRCHK模块212

7.2.3 SETUP模块212

7.2.4 DCTRAN模块212

7.2.5 DCOP模块213

7.2.6 ACAN模块213

7.2.7 OVTPVT模块214

7.2.8 SPICE2的根程序214

7.3 SPICE的动态存储分配216

7.4 SPICE的内建器件模型223

7.4.1 二极管模型224

7.4.2 双极型晶体管模型227

7.4.3 结型场效应晶体管模型240

7.4.4 MOS场效应管模型244

第八章 用SPICE进行电路仿真262

8.1 SPICE输入语言的语法规则262

8.2 电路元器件的描述265

8.2.1 电阻267

8.2.2 电容268

8.2.3 电感269

8.2.4 耦合互感270

8.2.5 压控电流源270

8.2.6 压控电压源272

8.2.7 流控电流源274

8.2.8 流控电压源275

8.2.9 独立电压源276

8.2.10 独立电流源282

8.2.11 二极管283

8.2.12 双极型晶体管(BJT卡)284

8.2.13 结型场效应晶体管(JFET卡)286

8.2.14 MOS场效应晶体管(MOSFET卡)286

8.2.15 无损耗传输线287

8.2.16 子电路调用卡288

8.2.17 砷化镓场效应器件卡289

8.3 SPICE的模型卡的子电路卡289

8.3.1 模型卡291

8.3.2 子电路卡292

8.4 控制卡293

8.4.1 一般控制类293

8.4.2 分析类型类296

8.4.3 输出方式类306

8.4.4 有关收敛的控制卡311

8.5 用SPICE进行电路仿真的实例314

8.5.1 在晶体管BC结有无SBD钳位对RTL倒相器开关过程的影响314

8.5.2 差分放大器317

8.5.3 有无负反馈二级低频电压放大器的仿真323

8.5.4 模拟晶体管振荡器的起振过程326

8.5.5 多谐振荡器328

8.5.6 功率放大电路的模拟330

附录333

附表A 半导体器件模型卡中用的模型参数333

附表A1 二级管的模型参数333

附表A2 双级晶体管模型参数334

附表A3 JFET模型参数338

附表A4 MOSFET的模型参数339

附表A5 MESFET的模型参数342

附表B SPICE的可选项343

附表C 三种多步积分公式系数分布345

参考文献347

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