《场效应晶体管及其集成电路》求取 ⇩

目录5

绪言5

第一章　结型场效应晶体管7

1-1　结型场效应晶体管的一般介绍7

1-2　结型场效应晶体管的特性14

1-3　结型场效应晶体管的制造工艺20

1-4　结型场效应晶体管的电参数26

1-5　参数和结构的关系33

1-6　结型场效应晶体管的噪声性能46

1-7　结型场效应晶体管的测试56

1-8　结型场效应晶体管的应用71

第二章　金属-氧化物-半导体场效应晶体管88

2-1　MOS晶体管的一般介绍88

2-2　反型层的形成和开启电压95

2-3　MOS晶体管的特性曲线104

2-4　MOS晶体管的制造工艺和图形设计111

2-5　MOS晶体管的参数121

2-6　氧化膜中的正电荷与管子的稳定性问题137

2-7　衬底电压对晶体管特性的影响142

2-8　MOS晶体管的测试和应用147

第三章　金属-氧化物-半导体集成电路154

3-1 p型沟道MOS集成电路的一般介绍155

3-2　数字电路的基本组成部分——反相器159

3-3　逻辑门电路179

3-4　触发器电路191

3-5　动态逻辑电路218

3-6　MOS集成电路的输出级和输入级241

3-7　MOS大规模集成电路252

3-8 n型沟道MOS集成电路261

3-9　互补型MOS集成电路265

3-10　MOS集成电路的新工艺276

3-11　MOS集成电路的测试287

附录一 常用数值293

附录二 硅材料电阻率与杂质浓度的关系曲线294

附录三 逻辑代数基本常识295