《场效应晶体管及其集成电路》
作者 | 江丕桓等编 编者 |
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出版 | 北京:国防工业出版社 |
参考页数 | 299 |
出版时间 | 1974(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 15034·1377 — 求助条款 |
PDF编号 | 87452308(仅供预览,未存储实际文件) |
求助格式 | 扫描PDF(若分多册发行,每次仅能受理1册) |

目录5
绪言5
第一章 结型场效应晶体管7
1-1 结型场效应晶体管的一般介绍7
1-2 结型场效应晶体管的特性14
1-3 结型场效应晶体管的制造工艺20
1-4 结型场效应晶体管的电参数26
1-5 参数和结构的关系33
1-6 结型场效应晶体管的噪声性能46
1-7 结型场效应晶体管的测试56
1-8 结型场效应晶体管的应用71
第二章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管88
2-1 MOS晶体管的一般介绍88
2-2 反型层的形成和开启电压95
2-3 MOS晶体管的特性曲线104
2-4 MOS晶体管的制造工艺和图形设计111
2-5 MOS晶体管的参数121
2-6 氧化膜中的正电荷与管子的稳定性问题137
2-7 衬底电压对晶体管特性的影响142
2-8 MOS晶体管的测试和应用147
第三章 金属-氧化物-半导体集成电路154
3-1 p型沟道MOS集成电路的一般介绍155
3-2 数字电路的基本组成部分——反相器159
3-3 逻辑门电路179
3-4 触发器电路191
3-5 动态逻辑电路218
3-6 MOS集成电路的输出级和输入级241
3-7 MOS大规模集成电路252
3-8 n型沟道MOS集成电路261
3-9 互补型MOS集成电路265
3-10 MOS集成电路的新工艺276
3-11 MOS集成电路的测试287
附录一 常用数值293
附录二 硅材料电阻率与杂质浓度的关系曲线294
附录三 逻辑代数基本常识295
1974《场效应晶体管及其集成电路》由于是年代较久的资料都绝版了,几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要,可向博主求助其电子版PDF文件(由江丕桓等编 1974 北京:国防工业出版社 出版的版本) 。对合法合规的求助,我会当即受理并将下载地址发送给你。
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