《场效应晶体管电路设计》求取 ⇩

目录1

第一章 场效应晶体管理论1

1-1 引言1

1-2 结型场效应晶体管4

1-3 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应晶体管（绝缘栅型场效应晶体管）14

1-4 场效应晶体管的符号18

1-5 场效应晶体管的物理特征19

1-6 小结25

第二章 场效应晶体管的参量与规格27

2-1 引言27

2-2 JFET的静态特性28

2-3 栅流特性34

2-4 小信号特性35

2-5 JFET中的电容39

2-6 噪声特性41

2-7 特性参量间的相互关系43

2-8 MOSFET的特性48

2-9 模拟开关参量56

2-10 温度效应61

2-11 额定功耗衰减系数63

2-12 术语与符号汇总64

3-1 引言66

第三章 低频电路66

8-2 工作区的边界67

3-3 设计举例68

3-4 确定工作点与建立偏置的方法69

3-5 输入电容72

3-6 如何选用FET——一个设计实例73

3-7 恒流源偏置82

3-8 共源共栅电路84

3-9 源极跟随器（共漏放大器）90

3-10 差分放大器98

3-11 FET放大器的失真121

3-12 音频噪声特性133

第四章 高频电路147

4-1 高频技术147

4-2 高频放大中的问题149

4-3 “完美”的高频FET151

4-4 稳定性153

4-5 功率增益156

4-6 晶体管的两端口网络（四端网络）参量157

4-7 放大器162

4-8 混频器173

4-9 平衡混频器181

4-10 双平衡混频器186

4-11 振荡器194

4-12 高频功率FET198

4-13 噪声温度与噪声系数203

第五章 模拟开关208

5-1 作模拟开关用的FET208

5-2 直流等效电路209

5-3 作开关用的JFET212

5-4 开关高频信号215

5-5 MOSFET开关221

5-6 CMOS开关222

5-7 VMOS开关224

5-8 直流漏电特性232

5-9 电容与开关过渡过程238

5-10 用模拟开关进行信号变换246

5-11 小结251

第六章 电压控制电阻器和FET电流源252

6-1 电压控制电阻器（VCR）的性质252

6-2 FET VCR的特性252

6-3 如何把FET用作VCR255

6-4 信号失真：起因256

6-5 信号失真的减小257

6-6 用VCR进行线性增益控制259

6-7 反馈线性化了的VCR的分析262

6-8 用FET作恒流源265

6-9 共源共栅FET电流源269

6-10 稳流二极管270

6-11 使用稳流器的波形发生器273

6-12 用FET作电流源时的使用要点275

第七章 功率场效应晶体管276

7-1 引言276

7-2 VMOS技术277

7-3 垂直JFET和DMOS技术279

7-4 VMOS的特性281

7-5 一般开关应用283

7-6 驱动考虑294

7-7 温度考虑295

7-8 并联与串联工作297

7-9 放大应用298

7-10 射频功率放大应用303

7-11 小结303

第八章 集成电路中的场效应晶体管304

8-1 引言304

8-2 MOSFET的各种基本制造工艺304

8-3 双极晶体管与FET的结合308