《可关断可控硅及其应用》
作者 | 张立编著 编者 |
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出版 | 北京:人民邮电出版社 |
参考页数 | 272 |
出版时间 | 1982(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 15045总2577有5244 — 求助条款 |
PDF编号 | 87456048(仅供预览,未存储实际文件) |
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目录1
第一章 绪论1
1-1 可控硅与可关断可控硅1
1-1-1 可控硅工作原理1
1-1-2 可控硅分类5
1-1-3 可关断可控硅6
1-2 可控硅、晶体管和可关断可控硅比较8
1-2-1 可控硅和可关断可控硅比较8
1-2-2 可控硅和功率晶体管比较10
1-2-3 可关断可控硅和功率晶体管比较12
1-3 可关断可控硅发展概况14
第二章 GTO的基本工作原理21
2-1 导通原理21
2-1-1 GTO的等效结构21
2-1-2 导通原理24
2-2 关断原理26
2-2-1 SCR的关断原理26
2-2-2 GTO的关断原理27
2-3 关断过程29
2-3-1 二维关断过程30
2-3-2 一维关断过程32
2-4 关断特性34
2-4-1 关断时门极特性34
2-4-2 关断时阳极特性38
2-5 关断时间40
2-6 失效原理43
第三章 参数与结构47
3-1 关断增益与最大可关断阳极电流47
3-1-1 P2基区横向电阻Rb对IATO的影响48
3-1-2 α1和α2对IATO的影响49
3-1-3 重加dv/dt对IATO的影响52
3-1-4 阳极电压对IATO的影响55
3-1-5 结温对IATO的影响56
3-1-6 频率对IATO的影响57
3-2 其它参数57
3-2-1 掣住电流IL58
3-2-2 GTO的dv/dt与di/dt59
3-2-3 其它参数61
3-3 功率损耗68
3-3-1 导通期的平均功耗PF69
3-3-2 阳极开通功耗Pon70
3-3-3 阳极关断功耗Poff71
3-3-4 GTO的总功耗72
3-4 结构特点73
3-4-1 最大可关断阳极电流IATO与器件结构的关系73
3-4-2 GTO快速性能与器件结构的关系78
第四章 门极控制技术81
4-1 门极控制的一般问题81
4-2 门极导通讯号的四度特性85
4-3 门极关断讯号的四度特性88
4-4-1 恒压源供电方式95
4-4 门极关断供电方式95
4-4-2 变压源供电方式98
4-4-3 脉冲变压器供电方式99
4-5 门极关断电量概念100
4-5-1 门极关断电量概念100
4-5-2 变压源供电电路中EG和C值的估算法103
4-6 门极驱动实用电路105
4-6-1 恒压源供电门极驱动电路106
4-6-2 变压源供电门极驱动电路107
4-6-3 采用脉冲变压器的门极驱动电路112
第五章 阳极控制技术116
5-1 过流保护及限制di/dt的方法116
5-1-1 过流保护基本原理116
5-1-2 电子开关过电流保护实际电路119
5-1-3 限制di/dt的方法120
5-2 过压保护及限制dv/dt的方法120
5-2-1 过压保护基本原理120
5-2-2 限制dv/dt的方法128
5-3-1 散热的重要性133
5-3 散热问题133
5-3-2 GTO的散热过程135
5-3-3 GTO的冷却措施137
第六章 功率步进电机驱动电源139
6-1 概述139
6-1-1 功率步进电机139
6-1-2 驱动电源特点141
6-1-3 晶体管高低压驱动电源142
6-2 GTO驱动电源145
6-2-1 GTO高低压串联驱动电路145
6-2-2 GTO高低压并联驱动电路153
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- 1981 北京:电力工业出版社
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