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目录1

第一章 硅可控概述1

第二章 原理、结构、特殊硅可控4

2.1 半导体的特性4

2.2 N型半导体和P型半导体5

2.3 P-N结的性质6

2.4 硅可控原理8

2.4.1 正向阻断特性10

2.4.2 正向导通13

2.4.3 开通现象14

2.4.4 反向特性18

2.4.5 关断19

2.5 硅可控的制造和结构20

2.5.1 P-N-P-N结的制造方法20

2.5.2 结构22

2.6 特殊硅可控23

2.6.1 控制极可关断硅可控23

2.6.2 光控硅可控(用光来开通的硅可控)25

第三章 硅可控的额定和特性27

3.1 术语的说明27

3.1.1 什么叫额定值27

3.1.2 有关额定值的术语29

3.1.3 有关特性的术语32

3.2 硅可控结的热损耗35

3.2.1 正向电流所引起的功率损耗35

3.2.2 在正向和反向阻断状态下的功率损耗40

3.2.3 开关时产生的功率损耗41

3.3 由内部损耗所引起的结部温升43

3.3.1 结温43

3.3.2 额定正向电流的表示方法45

3.3.3 热阻47

3.3.4 各种不同负载电流时的结温52

3.3.5 瞬时热脉冲的结温特性60

3.4 硅可控承受浪涌电流的能力63

3.4.1 浪涌电流的额定值64

3.4.2 I2t额定值64

3.4.3 开通时的di/dt额定值65

3.5 硅可控的电压额定、特性66

3.5.1 反向电压66

3.5.2 正向阻断电压68

3.5.3 正向阻断电压上升率(dv/dt)69

3.6 控制极特性和额定72

3.6.1 控制极的电压-电流特性72

3.6.2 控制极应加的控制功率74

3.6.3 加在控制极上控制功率的脉冲宽度75

3.6.4 反向阻断状态下控制极正向电压的影响76

3.6.5 控制极反向偏置特性77

3.7 维持电流79

3.8 控制极开通特性79

3.9 关断特性80

3.9.1 关断特性80

3.9.2 外部条件对关断时间的影响82

3.9.3 关断的方法84

第四章 特性的测量及试验86

4.1 正向压降(导通电压)的测量86

4.1.1 示波器法86

4.1.2 直流法87

4.1.3 平均正向压降测量法87

4.2 正向和反向漏电流的测量88

4.2.1 示波器法88

4.2.3 平均漏电流测量法89

4.2.2 直流法89

4.3 控制极触发电流和电压的测量90

4.4 最大不触发电流的测量90

4.5 维持电流的测量90

4.6 掣住电流的测量91

4.7 开通时间的测量92

4.8 关断时间的测量93

4.9 极限正向阻断电压上升率的测量96

4.10 稳态热阻的测量97

4.11 瞬态热阻的测量99

4.11.1 加热法99

4.11.2 冷却法99

4.12 硅可控的试验100

4.12.1 浪涌电流试验100

4.12.3 开通电流上升率(di/dt)试验101

4.12.2 I2t试验101

4.12.4 热疲劳试验102

4.12.5 为了提高可靠性而进行的其他试验103

第五章 控制极控制回路104

5.1 控制回路应具备的条件104

5.1.1 控制极的电压-电流特性104

5.1.2 控制极的偏压105

5.1.3 控制极箝位回路105

5.2 直流触发106

5.3 交流触发106

5.4 交流相位控制106

5.4.1 简单回路107

5.4.2 丘隆回路109

5.4.3 使用饱和电抗器的方法109

5.4.4 使用单结晶体管的方法111

5.4.5 使用单结晶体管的交直重迭法119

5.4.6 隧道二极管法120

5.4.7 交直迭加法(GE法)123

5.4.8 其他的回路125

第六章 硅可控的串联和并联连接128

6.1 串联连接128

6.1.1 正向和反向阻断状态的均压129

6.1.2 开通过程的均压问题130

6.1.3 阻断能力恢复过程的均压131

6.1.4 分压电容器的串联电阻133

6.2 串联连接时的控制极回路135

6.2.1 应用隔离变压器的回路135

6.2.2 串联硅可控的从属触发137

6.3 并联连接138

6.3.1 由于主回路的影响而产生电流分配不均衡138

6.3.2 由于正向压降而产生不均衡140

6.3.3 由于触发特性的不同而产生电流分配不均衡141

6.3.4 使并联硅可控均流的方法142

6.3.5 并联硅可控的控制极回路145

6.4 硅可控的串、并联连接146

第七章 静止开关和交流回路的控制148

7.1 静止开关148

7.1.1 直流静止开关148

7.1.2 直流断路器150

7.1.3 交流静止开关151

7.2 交流回路的控制151

7.2.1 交流回路的相位控制151

7.2.2 基本线路152

7.2.3 一个硅可控的相位控制线路154

7.2.4 电阻炉温度控制155

7.2.5 灯光调节装置156

8.1 概述158

第八章 整流线路158

8.2 单相回路160

8.2.1 单相半波电阻负载160

8.2.2 单相半波电感负载161

8.2.3 单相半波电容负载162

8.2.4 单相全波(二相)和单相桥式线路162

8.2.5 单相半控桥式线路164

8.3 多相整流线路165

8.3.1 多相整流线路的换流166

8.3.2 多相线路的特性167

8.3.3 三相半控桥式线路170

8.4 他激式逆变线路172

8.5 特殊整流线路174

8.5.1 12相以上的多相整流线路174

8.5.2 反向并联连接175

8.6 整流线路中的特殊现象178

8.6.1 高次谐波的产生178

8.6.2 换流时的振荡电压179

8.6.3 电压变化率179

8.6.4 故障电流180

第九章 直流电动机采用硅可控驱动和控制181

9.1 直流电动机的运转特性181

9.1.1 感应电势181

9.1.2 转短182

9.1.3 机械和电气方面的输入、输出功率182

9.1.4 电动机的速度特性183

9.1.5 电动机运转的过渡特性185

9.2 整流器控制的直流电动机的运转190

9.3 用整流器来快速控制直流电动机的加减速度以及反向运行192

9.3.1 反向并联连接法(double convertet)193

9.3.2 单组整流器电枢回路的转换方式197

9.3.3 单组整流器励磁极性转换方式198

9.4 整流器输出电压脉动的影响200

9.4.1 直流电流不断续时的情况200

9.4.2 直流电流断续的情况203

9.4.3 减低直流电流脉动系数的方法206

9.5 用硅可控控制直流电动机运转的实例207

9.5.1 小型电动机(主要是伺服电动机)的可逆运转207

9.5.2 用硅可控调节电动机的励磁211

9.5.3 驱动大、中功率电动机用的硅可控装置214

第十章 直流断续器和逆变器216

10.1 直流断续器216

10.2 直流断续器的应用218

10.3 并联逆变器221

10.4 改进型的并联逆变器(McMurray式逆变器)224

10.5 改进型并联逆变器的工作227

10.5.1 感性负载的情况228

10.5.2 容性负载时的情况232

10.6 逆变器的控制极电源及其起动233

10.6.1 派生复合式多谐振荡线路234

10.6.2 改进型逆变器的起动235

10.6.3 高频起动的控制极回路235

10.6.4 磁通复归回路236

10.7 逆变器的电压调整237

10.8 逆变器输出波形的改善238

10.8.1 滤波器238

10.8.2 改变相位来改进波形的方法239

10.9 直接变频器240

10.10 串联逆变器241

第十一章 三相变频逆变器247

11.1 串联逆变器247

11.2 麦克墨莱(McMurray)式逆变器249

11.3 串联二极管式逆变器253

11.4 逆变器的级联256

11.5 三相逆变器的控制极回路258

11.5.1 环形计数器线路259

第十二章 三相逆变器在交流电动机的运转及无换向264

器电动机中的应用264

12.1 感应电动机的频率控制264

12.1.1 特性计算265

12.1.2 逆变器波形对电动机特性的影响268

12.1.3 制动和反转269

12.2 同步电动机的频率控制270

12.3 无换向器电动机的结构271

第十三章 特殊硅可控的应用275

13.1 控制极可关断的硅可控275

13.1.1 由控制极信号而产生矩形波电压275

13.1.2 产生锯齿波电压的回路276

13.2 光控硅可控277

13.2.1 用光控制负载电流的通断277

13.2.2 在卡片读出器中的应用277

第十四章 过电流和过电压的保护279

14.1 保护问题的提出279

14.2 整流器和逆变器的故障电流279

14.2.1 整流器的逆弧电流279

14.2.2 整流器的直流短路电流282

14.2.3 逆变器的逆弧284

14.2.4 逆变器换流失误时的故障电流284

14.3 元件的故障和保护286

14.3.1 元件反向损坏造成短路286

14.3.2 控制极失控288

14.3.3 控制极触发失灵289

14.4.2 整流器的过载290

14.4.1 整流器的直流侧短路290

14.4 负载侧发生的故障290

14.4.3 逆变器负载侧的故障291

14.5 过电流保护的主要器件及其应用291

14.5.1 熔断器292

14.5.2 断路器293

14.5.3 控制极封锁294

14.5.4 用硅可控作为直流开关295

14.6 过电压发生的原因及其保护295

14.6.1 交流侧开闭时所产生的过电压295

14.6.2 直流侧操作过电压298

14.6.3 载流子积蓄效应所引起的过电压299

14.6.4 雷击和其他因素引起的过电压300

14.6.5 直流电动机所产生的过电压及其他301

14.7 过电压保护的主要器件及其应用301

14.7.1 电容器和电阻301

14.7.2 雪崩整流器303

14.7.3 硅可控304

第十五章 硅可控的冷却306

15.1 硅可控冷却方式的种类307

15.1.1 自然对流冷却307

15.1.2 强迫通风冷却308

15.1.3 密闭硅可控装置的冷却309

15.2 散热器的材料和硅可控的安装310

15.2.1 散热器的材料310

15.2.2 硅可控的安装方法311

15.3 散热器的热计算和设计准则314

15.3.1 辐射冷却315

15.3.2 自然对流冷却318

15.3.3 强制通风冷却320

15.3.4 散热效率322

15.3.5 热传达和热阻的关系325

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