《金属一氧化物一半导体场效应晶体管电路设计》
作者 | 编者 |
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出版 | 北京:科学出版社 |
参考页数 | 151 |
出版时间 | 1971(求助前请核对) 目录预览 |
ISBN号 | 无 — 求助条款 |
PDF编号 | 816922348(仅供预览,未存储实际文件) |
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目 录1
符号表1
第一章MOS场效应晶体管入门1
1.1 MOS的工作原理3
1.2特性曲线4
1.3数字电路6
1.4 速度9
1.5互补结构11
1.6 MOS工艺展望12
第二章工作原理17
2.1定性分析18
2.2定量分析22
2.3阈电压的附加考虑36
2.4 MOS方程和器件符号的总结47
第三章 MOS特性及其与方程的相互关系52
3.1饱和区52
3.2三极管区66
3.3迁移率70
第四章瞬态响应75
4.1 截止频率75
4.2 MOS的开关速度77
第五章MOS集成电路基本概念95
5.1作负载电阻用的MOS96
5.2 MOS倒相器103
5.3基本的积木式单元116
5.4冗余件(对MO)S电路是很理想的)121
5.5用电容存储原理来简化电路122
5.6主从触发器126
5.7一种实际集成电路的介绍128
第六章模拟电路135
6.1共源放大器135
6.2源跟随器137
6.3共栅放大器(栅接地)140
6.4各种放大器组态141
附录150
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