《砷化镓微波功率场效应晶体管及其集成电路》求取 ⇩

《微电子学丛书》序1

第一章 绪言1

第二章 砷化镓微波场效应管设计7

2.1 工作原理7

2.2 电学设计12

2.3 结构设计29

2.4 可靠性设计38

2.5 低噪声FET50

2.6 又栅FET56

第三章 砷化镓材料66

3.1 材料性质66

3.2 单晶生长71

3.3 离子注入79

3.4 气相外延90

3.5 分子束外延95

3.6 化学东外延和其它104

第四章 砷化镓微波场效应管制作工艺112

4.1 湿法腐蚀112

4.2 图形光刻121

4.3 欧姆接触形成155

4.4 肖特基势垒形成186

4.5 钝化194

4.6 干法腐蚀220

4.7 空气桥和通路孔242

4.8 装架252

4.9 质量控制256

4.10 测试259

4.11 内匹配277

第五章 砷化镓微波单片集成电路299

5.1 概述299

5.2 设计考虑303

5.3 集总元件311

5.4 偏置电路330

5.5 单片电路制作工艺333

5.6 微波探针测试系统339

5.7 侦片修正345

5.8 放大器347

5.9 振荡器356

5.10 混频器和倍频器364

5.11 移相器370

5.12 微波开关和衰减器378

5.13 单片机385

5.14 毫米波单片电路387

第六章 管芯和单片封装394

6.1 微波封装特点395

6.2 设计考虑396

6.3 管壳制造设计405

6.4 管壳制造工艺409

7.1 引言416

第七章 砷化镓微波混合集成电路416

7.2 直流偏置418

7.3 FET非线性分析421

7.4 微波设计427

7.5 放大器444

7.6 其它电路452

7.7 管壳封装模块458

7.8 模块461

7.9 T/R组件468

第八章 高电子迁移率场效应管和真空场效应管476

8.1 二维电子气476

8.2 材料结构演进479

8.3 工艺技术要点485

8.4 毫米波器件和电路举例491

8.5 传导沟道参数498

8.6 真空场效应管简述512