《硅功率场控器件和功率集成电路》

目录1

译者的话1

序言（摘译）1

第一章 绪论1

第二章 硅材料的限度9

§1 电阻率10

§2　迁移率22

§3　寿命33

第三章　击穿现象46

§4　雪崩击穿47

§5　突变结49

§6　线性缓变结50

§7　结的边缘造型技术52

§8　基极开路的晶体管的击穿67

§9　结的制造70

§10　结的钝化技术74

§11　结的隔离方法76

第四章 结栅场效应晶体管79

§12　基本的器件物理80

§13　设计考虑95

§14　器件结构及其制造97

第五章 MOS栅场效应晶体管103

§15　基本的器件物理104

§16　设计考虑113

§17　器件结构及其制造117

第六章　场控二极管122

§18　基本的器件物理123

§19　设计考虑133

§20　器件结构及其制造135

第七章　功率集成电路142

§21　功率达林顿晶体管142

§22　集成双极晶体管146

§23　集成场效应晶体管150

§24　热力学考虑156

第八章　最新发展159

§25　MOS栅晶闸管159

§26　双极结型场效应晶体管161

参考文献163