《硅功率场控器件和功率集成电路》求取 ⇩
| 作者 | （美）巴利伽著；王正元，刘长吉译 编者 |
|---|---|
| 出版 | 北京：机械工业出版社 |
| 参考页数 | 167 ✅ 真实服务 非骗流量 ❤️ |
| 出版时间 | 1986（求助前请核对） 目录预览 |
| ISBN号 | 15033·6424 — 违规投诉 / 求助条款 |
| PDF编号 | 87455068（学习资料 勿作它用） |
| 求助格式 | 扫描PDF（若分多册发行，每次仅能受理1册） |
目录1
译者的话1
序言（摘译）1
第一章 绪论1
第二章 硅材料的限度9
§1 电阻率10
§2 迁移率22
§3 寿命33
第三章 击穿现象46
§4 雪崩击穿47
§5 突变结49
§6 线性缓变结50
§7 结的边缘造型技术52
§8 基极开路的晶体管的击穿67
§9 结的制造70
§10 结的钝化技术74
§11 结的隔离方法76
第四章 结栅场效应晶体管79
§12 基本的器件物理80
§13 设计考虑95
§14 器件结构及其制造97
第五章 MOS栅场效应晶体管103
§15 基本的器件物理104
§16 设计考虑113
§17 器件结构及其制造117
第六章 场控二极管122
§18 基本的器件物理123
§19 设计考虑133
§20 器件结构及其制造135
第七章 功率集成电路142
§21 功率达林顿晶体管142
§22 集成双极晶体管146
§23 集成场效应晶体管150
§24 热力学考虑156
第八章 最新发展159
§25 MOS栅晶闸管159
§26 双极结型场效应晶体管161
参考文献163
1986《硅功率场控器件和功率集成电路》由于是年代较久的资料都绝版了，几乎不可能购买到实物。如果大家为了学习确实需要，可向博主求助其电子版PDF文件（由（美）巴利伽著；王正元，刘长吉译 1986 北京：机械工业出版社 出版的版本） 。对合法合规的求助，我会当即受理并将下载地址发送给你。
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