《功率MOSFET与高压集成电路》求取 ⇩

目录1

第一章 绪论1

§1-1功率半导体器件的发展概述1

§1-2功率MOS器件的发展过程和发展方向5

§1-3功率集成电路的发展动态19

§1-4功率MOS器件的应用22

参考文献36

第二章 特殊制造技术38

§2-1中子嬗变掺杂技术38

§2-2硅片直接键合技术46

§2-3载流子寿命控制技术48

§2-4封装技术59

参考文献73

第三章 雪崩击穿与结终端技术75

§3-1碰撞电离与雪崩击穿75

§3-2平行平面结的击穿电压与临界电场79

§3-3平面结击穿86

§3-4场板及有关技术93

§3-5场限环102

§3-6斜表面与腐蚀轮廓110

§3-7结终端扩展与变化横向掺杂116

参考文献120

§4-1引言122

第四章 垂直导电MOS型功率器件122

§4-2功率MOS的结构与I～V特性135

§4-3功率MOS的重要参数154

§4-4 IGT183

§4-5 MCT及智能功率MOS209

参考文献222

第五章 横向高压、功率MOS型器件225

§5-1横向双扩散MOS（LDMOS）225

§5-2偏置栅MOS与高压双栅MOS253

§5-3 RESURF284

§5-4横向绝缘栅晶体管295

参考文献315

第六章 其它器件317

§6-1静电感应晶体管317

§6-2静电感应晶闸管325

§6-3复合功率器件331

参考文献336

第七章 功率集成电路与高压集成电路340

§7-1 PIC与HVIC实例340

§7-2 隔离技术351

§7-3 SMART功率集成技术358

§7-4 DMOS/CMOS（或D/CMOS）集成技术362

§7-5 BIMOS集成技术366

参考文献371