《TMOS功率场效应晶体管原理及应用》求取 ⇩

第一章　功率MOSFET简介1

1.1　符号、术语及其定义1

1.2　TMOS的基本结构、工作机理与物理过程6

1.3　功率MOSFET的特殊优点10

第二章　功率MOSFET的基本特性13

2.1　输出特性13

2.2　MOSFET基本参数14

2.3　温变特性15

2.4　漏-源二极管16

第三章　使用TMOS功率MOSFET设计者（Designer s）数据表19

3.1　概述19

3.2　设计者数据表19

3.3　安全工作区26

第四章使用大功率MOSFET时的设计依据——大功率MOSFET的保护28

4.1　安全工作区28

4.2　漏-源过压保护31

4.3　封装和引线电感的考虑33

4.4　功率MOSFET的雪崩和dv/dt限制34

4.5　栅极保护34

第五章功率MOSFET的雪崩和dv/dt限制35

5.1　漏-源雪崩状态下的功率MOSFET35

5.2　漏-源dv/dt额定值38

5.3　推荐的换向安全工作区（CSOA）说明格式41

5.4　高压高速CSOA测试装置43

5.5　使用CSOA说明44

5.6　CSOA与UIS的关系45

第六章栅极驱动要求47

6.1　功率MOSFET栅极驱动要求47

6.2　输入电容47

6.3　栅极充电说明50

6.4　栅极充电参数的利用52

6.5　开关时间的计算55

6.6　共源极开关58

第七章功率MOSFET的并联81

7.1 在开关应用中功率MOSFET的并联使用81

7.2　线性应用的并联功率MOSFET96

7.3　并联MOSFET的应用101

第八章　大功率开关电源108

8.1　100kHz开关型功率电源108

8.2　20kHz开关113

8.3　高压回扫换流器114

8.4　双晶体管电流型正向变流器116

8.5　功率因数修正128

8.6　半导体器件的初选130

第九章　电机控制132

9.1　在步进电机控制中使用功率MOSFET132

9.2　H桥性能比较138

9.3　小功率电机双向控制140

9.4　电机脉宽调速142

9.5　无刷电机控制器的三器件方案142

9.6　一马力脱线无刷永磁体电机驱动153

9.7　小功率电机与微处理器接口164

9.8　模拟输入与小功率电机之间的接口173

第十章　水平扫描电路183

10.1　设计例子183

10.2　电路描述185

10.3　快速强电流MOSFET驱动器186

第十一章电流敏感的功率MOSFET189

11.1 敏感器件（SENSEFET）产品189

11.2　非正常条件下的感测电压195

11.3　SENSEFET兼容集成电路197

11.4 用于高频的SENSEFET产品199

11.5　结论200

第十二章功率MOSFET和其它半导体功率开关的相对效率201

第十三章　特性与测量209

13.1功率MOSFET的正偏安全工作区（FBSOA）测试209

13.2　开关安全工作区（SSOA）215

13.3　作为开关使用的功率MOSFET的漏-源二极管的特性221

13.4　热测量227

13.5　热测试装置230

13.6　测量功率MOSFET的电容233

13.7　功率MOSFET的其它特性的测量234

13.8　波形记录仪对功率MOSFET的测量技术238

第十四章　可靠性与质量244

14.1　引言244

14.2　可靠性测试244

14.3　可靠性检验程序250

14.4　可靠性的实质252

第十五章　功率半导体器件的安装254

15.1　引言254

15.2　装配表面的准备255

15.3　界面处理256

15.4　绝缘问题258

15.5　紧固件和附件特性261

15.6　紧固方法263

15.7　插座安装270

15.8　接线端子的连接271

15.9　电路板的清洗273

15.10　热系统评价273

15.11附录A　热阻概念274

15.12　附录B　界面热阻测量275

15.13　附录C　附件来源277

15.14　封装标志277

第十六章静电放电和功率MOSFET279

16.1　静电放电的产生279

16.2　静电放电和功率MOSFET280

16.3　器件敏感性的测量282