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第一章 符号和术语1

1.1 符号1

1.2 术语及其定义1

第二章 半导体开关元件的工作原理4

2.1 基本品质4

2.2 晶闸管功率控制的理论11

2.3 三端双向半导体开关(双向晶闸管)理论18

2.4 控制的方法20

2.5 过零点开关技术22

第三章晶闸管驱动器与触发25

3.1 可控硅的脉冲触发25

3.2 温度、电压、电流和负载的影响30

3.3 运用负偏置和分流31

3.4 减小di/dt效应的影响32

3.5 为什么与如何来缓冲晶闸管35

3.6 敏感门极晶闸管的使用36

3.7 驱动器:MOC3011非零交叉双向可控硅开关驱动器41

3.8 驱动器:可编程单结晶体管(PUT)46

第四章 硅对称二端开关元件——一种新型的高压双向触发器53

第五章 半导体可控整流器(SCR)的特性64

5.1 SCR关断特性64

5.2 在直通应用中的SCR特性74

5.3 开关特性用作线型调制器83

5.4SCR的并联89

5.5 在可控硅电路中射频干扰(RFI)抑制特性94

6.1 晶闸管相位控制99

第六章 应用99

6.2 电机控制100

6.3 使用触发器件的相位控制108

6.4 非零点触发的光隔TRIAC驱动器的使用112

6.5 利用固态继电器的交流功率控制117

6.6 双向晶闸管和感性负载122

6.7 功率控制用反向并联晶闸管125

6.8 数字电路与晶闸管控制交流负载接口126

6.9 用晶闸管控制直流电动机137

6.10 电动机方向与速度控制140

6.11可编程单结晶闸管的应用142

6.12 硅双向开关(SBS)的应用147

6.13 双向晶闸管零点开关的应用150

6.14 电压过零触发的光隔双向晶闸管开关器件的应用(AN982)154

6.15 串联双向晶闸管在交流高压开关电路中的应用(AN1045)164

6.16 为半导体开关元件的功率控制和瞬态抑制用的RC缓冲网络(AN1048)175

第七章晶闸管的安装200

7.1 引言200

7.2 装配表面的准备201

7.3 界面处理202

7.4 绝缘问题205

7.5 紧固件和附件特性207

7.6 紧固方法209

7.7 插座安装215

7.8 接线端子的连接216

7.9 电路板的清洗218

7.10 热系统评价218

7.11 附录A 热阻概念219

7.12 附录B 界面热阻测量220

7.13 附录C附件来源222

7.14 封装类型索引223

第八章 可靠性与质量225

8.1高功率脉冲晶闸管应用中瞬态热阻数据的使用225

8.2 可靠性及其评价236

8.3 晶闸管的制造240

8.4 可靠性测试242

9.1 附录Ⅰ利用两个晶体管模型分析248

第九章 附录248

9.2 附录Ⅱ电荷和脉冲宽度249

9.3附录ⅢTTL安全工作区(SOA)测试电路250

9.4 附录Ⅳ晶闸管直通寿命测试250

9.5 附录Ⅴ指数衰减的电流波形的有效值电流I…的推导251

9.6 附录Ⅵ各种时间的I2t的推导252

9.7 附录Ⅶ热阻的概念252

9.8 附录Ⅷ射频干扰(RFI)设计方程的推导253

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